钛媒体 App 6 月 30 日消息，东芝电子元件及存储装置株式会社宣布，推出采用东芝最新一代工艺 U-MOS11-H 制造的 80V N 沟道功率 MOSFET —— TPM1R408RH。该 MOSFET 面向 AI 数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。（广角观察）
钛媒体 App 6 月 30 日消息，东芝电子元件及存储装置株式会社宣布，推出采用东芝最新一代工艺 U-MOS11-H 制造的 80V N 沟道功率 MOSFET —— TPM1R408RH。该 MOSFET 面向 AI 数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。（广角观察）
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