快科技 6 月 30 日消息，韩国日前宣布未来 10 年 1000 万亿韩元（约合 4.4 万亿人民币）的芯片投资计划，虽然主要是面向存储芯片，但先进工艺也一样会得到加速。

三星去年就量产了 2nm 工艺 SF2，Galaxy S26 系列手机的 Exynos 2600 首发，只不过实测结果显示还是没完全打赢台积电的 3nm 工艺芯片。

好消息是三星还会启动更强大的 1.4nm 工艺 SF1.4 研发，该工艺原本是在 2027 年量产，但三星之前调整了进度，2nm 工艺会继续打磨两三年，1.4nm 工艺就推迟到了 2029 年量产，跟台积电、Intel 的 1.4nm 同级别工艺差不多时间。

三星日前已经向韩国国内及国外半导体设备供应商提出要求，希望他们提前研发针对 1.4nm 工艺的设备，未来会用于三星下一代半导体研发中心 NRD-K。

1.4nm 工艺具体的细节还不确定，但三星会在这一代工艺上正式引入 High NA EUV 光刻机，NA 0.55 比当前的 NA 0.33 更高，所以光刻分辨率也更高，是 2nm 节点以下的关键设备。

这个新一代 EUV 光刻机的价格也会大涨，预计售价在 4 亿美元左右，而当前的 EUV 光刻机也就 1.5-2 亿美元，价格翻倍，工厂的生产成本自然也会大涨。

台积电也是因为 High NA EUV 光刻机成本太贵，未来几代工艺还不会用这种设备，该设备主要的客户是 Intel，也是最早的客户，其次是 SK 海力士，三星算是第三家确定用的，明年的 10 台 High NA EUV 订单就靠他们三了。