韩国总统李在明 6 月 29 日主持 " 三大超级项目 " 发布会，宣布三星电子与 SK 海力士将在韩国西南部各新建两座存储芯片工厂。

消息刺激半导体设备股大涨。周二，ASML 在阿姆斯特丹收盘上涨 6.8%，创下历史新高。在纽约，Applied Materials 收涨约 4%，KLA 收涨 8%。

逻辑很简单：韩国两大存储巨头四座新晶圆厂意味着大量光刻机、薄膜沉积设备和检测系统的采购需求，而这些设备的主要供应商正是 ASML、Applied Materials 和 KLA。

此次涨势延续了半导体板块今年的强劲走势。费城半导体指数今年上半年近乎翻倍，第二季度涨幅超过 86%，创下有记录以来最强季度表现。不过板块波动依然剧烈——上周该指数单周下跌 7.9%，为 4 月初以来最差周表现，随后随着投资者重返人工智能基础设施相关标的而反弹。

Susquehanna 分析师 Mehdi Hosseini 继续看好半导体，理由是行业需求持续走强。另有机构预测，到 2028 年全球晶圆制造设备年度支出规模将达 2500 亿美元。

韩国西南存储芯片新集群

此次投资计划的核心是在韩国西南部打造全新存储芯片集群，，总投资约 800 万亿韩元（约 5180 亿美元），目标五年内 DRAM 产能翻倍。三星与 SK 海力士各承建两座工厂，政府负责提供土地、电力和水利等基础设施配套。

与此同时，三星还于 6 月 29 日单独宣布了一项更长周期的国内投资计划：2026 至 2040 年，在韩国国内累计投入 2450 万亿韩元，其中约 2100 万亿韩元用于半导体，占比 76%。

高盛分析师 Giuni Lee 团队对此进行了拆解：

1650 万亿韩元用于现有晶圆厂及在建项目，包括将龙仁 6 号厂完工时间从 2047 年提前至 2040 年；

400 万亿韩元用于光州两座新晶圆厂，即西南集群的核心部分；

56 万亿韩元用于在忠清道新建 HBM 晶圆厂。

高盛认为，若假设三星国内资本支出与研发合计约占合并口径总额的 80%，并以约 6% 的年均增速推算，2026 至 2040 年累计国内支出约为 2500 万亿韩元，与官方公告数字基本吻合。高盛由此判断，" 这一隐含的支出增速并不激进。"

产能翻倍，但实际增速远比数字温和

韩国存储厂商重申了到 2030 年 DRAM 晶圆产能近乎翻倍的目标，但美银证券分析师 Simon Woo 团队在 6 月 29 日至 30 日发布的研报中泼了一盆冷水。

翻倍听起来激进，但对应的年均复合增长率仅约 15%。更关键的是，若将旧厂关闭和新一代存储芯片更长制造周期两个因素纳入考量，实际运行晶圆产能的年增速将低于 10%，净晶圆增长率到 2030 年仅为个位数百分比复合增长率。

美银证券还指出，西南新集群远离首尔都市圈，基础设施投入量级更大，建设难度显著高于现有的平泽、龙仁等基地。该机构将其类比为台积电在台南的分散布局策略，认为这种远离核心区域的产能扩张需要更漫长的前置准备期。

综合基础设施建设（至少 5 年）与晶圆厂外壳建设及产能爬坡（额外 3 至 4 年），美银证券判断，新集群实现有意义的量产输出，最快也要在 8 至 10 年之后。

对于半导体设备板块而言，下一个关键节点是 7 月财报季。ASML 定于 7 月 15 日公布业绩，台积电紧随其后于 7 月 16 日发布财报。投资者届时将重点关注两家公司对新建工厂资本支出的最新指引，这将直接影响设备需求预期。