来源：环球市场播报

SK 海力士公司本周向美证券交易委员会（SEC）重新提交了修订后的 F-1 表格注册文件，其中包含潜在的诉讼风险，该公司正在推进其在美国上市的计划。

根据周二（当地时间）提交的文件，SK 海力士表示，上周四（当地时间），" 传统 DRAM 产品的间接购买者 " 在美国加州北区地方法院提起了一项 " 拟议的反垄断集体诉讼 "。

原告指控 SK 海力士、其美国子公司和另外两家存储芯片制造商 " 从大约 2022 年 10 月开始串谋限制传统 DRAM 的供应并抬高产品价格 "。

这家韩国芯片巨头在提交的文件中还表示，根据全球市场调研公司 IDC 的数据，今年第一季度其在全球高带宽内存（HBM）市场的份额达 56.4%，排名第一。按营收计算，同期也是全球第二大 NAND 闪存供应商。

SK 海力士表示，计划将募集资金用于在韩国建设生产设施，以及采购总价值约为 11.9 万亿韩元（约合 76 亿美元）的 EUV 光刻机，预计将于 2027 年 12 月交付。

该公司并未像上周三提交的文件中那样，披露美国存托股份（ADS）的任何细节，包括发行价格。

SK 海力士补充称，这些细节将通过与承销商的谈判来确定，并将基于普通股的最新交易价格、当前市场状况和其他因素。