三星电子首席技术官兼半导体研究所所长于 6 月 30 日在 DS（器件解决方案）部门内部经营说明会上表示，HBM4E 的可靠性测试良率已提升至 70% 以上。

业界通常将 80% 以上视为工艺稳定的 " 成熟良率 " 门槛，而 HBM4E 目前仍处于可靠性测试阶段，70% 以上的水平被认为标志着开发进程正式进入稳定区间。

与此同时，他在同一场合透露，下一代 10 纳米级第七代 DRAM 工艺（D1d）在技术竞争力上已取得对竞争对手的优势，并计划于今年 11 月完成生产准备认证（PRA）。