美光科技正加速推进日本扩产计划，以应对 AI 芯片需求激增带来的存储芯片供给缺口。

据彭博，7 月 5 日，美光位于日本广岛的工厂扩建项目正式破土动工，总投资规模约 1.5 万亿日元（约合 93 亿美元），重点投向高带宽内存（HBM）等先进存储产品的量产。该产线预计于 2028 年夏季前后开始出货。日本经济产业省已确认将提供最高 5000 亿日元的补贴支持。

此次扩建是美光全球产能布局调整的关键一环。日本经济产业大臣赤泽亮正出席仪式时表示，作为目前日本本土唯一的 DRAM 制造商，美光在日投资具有 " 无可估量的战略价值 "。

广岛工厂是美光于 2013 年收购破产的尔必达存储后整合而来，目前已发展为 HBM 技术的核心制造基地。扩建完成后，该工厂将主要面向英伟达等 AI 处理器厂商供应高带宽内存，同时着力提升 AI 服务器及自动驾驶领域所需芯片的功耗与传输效率。

美光日本子公司代表董事 Kota Nosaka 指出，广岛工厂的突出优势在于可向客户快速交付前沿高性能产品，在此推进下一代芯片研发与生产，直接服务美光全球战略。

美光获日本重金加码，全球 HBM 扩产竞赛升级

此次扩建项目得到日本政府扶持。迄今为止，日本政府已向美光拨付约 7750 亿日元资金，资金覆盖生产补贴与研发补助两大板块。

日本自 2021 年起持续加码半导体、人工智能产业投入，将两大赛道定位为关乎国家安全的核心战略产业。上月，日本发布产业发展路线图，计划在至 2041 年 3 月的规划周期内，撬动芯片与 AI 产业公私累计投资 101.6 万亿日元。

日本经济产业大臣赤泽亮正表态，若其他海外芯片企业计划赴日设厂，日方将全力提供配套扶持，释放出持续吸引海外芯片产业投资的清晰信号。

美光广岛扩产，也是全球存储芯片厂商抢抓 AI 算力需求、集中扩产的典型案例。企业同步在美国布局产能：于爱达荷州博伊西修建两座先进制程晶圆厂，并在今年 1 月启动纽约州锡拉丘兹大型生产基地建设，项目总投资规模达 1000 亿美元。

另一边，韩国 SK 海力士、三星电子同样加速扩充芯片制造产能，三家企业在 HBM 高端存储市场的竞争日趋白热化。