快科技 7 月 6 日消息，据报道，三星电子与 SK 海力士在引入混合键合技术，以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。

混合键合技术在下一代 HBM 上的全面应用可能比预期进一步延迟。行业分析师指出，两家公司正重新评估采用混合键合的时机，即使到 HBM5 也可能暂不采用。

混合键合技术直接连接 DRAM 芯片间的铜线，无需使用凸点，有助于减小 HBM 厚度并改善散热。然而，JEDEC 正在讨论将 HBM5 的厚度标准从当前的 775 微米放宽至最高约 1000 微米。

而 HBM3E 标准厚度为 720 微米，HBM4 已放宽至 775 微米。厚度标准松动后，混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫。

散热问题也有了更简单的替代方案。三星开发了 HPB 热通道模块，在封装内部加入独立热柱，可从堆叠内部带走热量。

SK 海力士则推出 iHBM 技术，将电绝缘、导热硅冷却元件嵌入 D2D PHY 层，称可较现有产品降低超过 30% 热阻。两家公司计划从 HBM5 开始应用各自方案。

目前客户和内存制造商并未积极讨论 16 层 HBM 的问题。即使到 HBM4E 阶段，12 层产品仍极有可能被用作主流产品。

16 层以上高堆叠产品的需求并不紧迫，这进一步延缓了混合键合的规模化部署。不过混合键合的研发并未停滞。当前 HBM4 的 I/O 数量已翻倍至 2048 个。

若未来 HBM5E 阶段 I/O 进一步翻倍至 4096 个，现有 TC 热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。

业内判断，短期内混合键合不会大规模部署，但中长期当 I/O 密度再次爆炸时仍是发展方向。