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7 月 8 日，国家科学技术奖励大会、两院院士大会、中国科协第十一次全国代表大会在京召开。2025 年度国家科学技术奖正式揭晓，自 1999 年《国家科学技术奖励条例》施行后，本次首次评选出 3 项国家自然科学奖一等奖。

其中，南昌大学江风益院士团队完成的 "V 缺陷三维 PN 结及应用 " 项目荣获国家自然科学奖一等奖。该项目由南昌大学独立完成，是本年度国家自然科学奖一等奖三项成果中唯一的信息领域项目，实现了江西省以省内单位为第一完成单位获得国家自然科学奖一等奖的历史性突破。

据了解，该项目深耕硅基氮化镓 LED 研究，跳出国外技术路线的延长线，走出自主研发的新路径。团队发现材料量子阱区域位错诱导形成的大尺寸 V 缺陷三维结构具有增强空穴注入、提高量子阱质量等有益作用，打破了 " 位错缺陷越少越好、越小越好 " 的传统认知。

据此提出的 V 缺陷三维 PN 结理论方法，使 PN 结界面由二维发展到三维，空穴注入量子阱的路径从势垒高的极性面转变为从势垒低的半极性面，使 V 缺陷从有 " 大害 " 到有 " 小害 "，最终发展为有 " 大用 "。基于该理论，团队攻克了五十多年来未能解决的高效黄光 LED 技术难题。

在 AR 显示应用方面，项目实现了硅基氮化镓 LED 与硅基电路晶圆级集成，研制成功微型显示屏及首款黄光 AR 眼镜。依托硅基氮化镓 LED 与硅基 CMOS 驱动电路工艺兼容的优势，团队实现了红、黄、绿、蓝单色 Micro-LED AR 微显示屏制造。

微型 LED 微显示屏具有高亮度、高分辨率、高对比度、快速响应等特点，更适配 AR 设备显示屏需求。此外，该项目开拓了无荧光粉纯芯片 LED 照明技术路线，产品已批量应用于路桥照明和氛围照明等场景，显示芯片批量应用于特种专项装备。其理论方法获得国际同行公认，并被推广应用到量大面广的共识路线。

这是江风益继 2015 年凭借硅衬底蓝光 LED 技术获得国家技术发明奖一等奖后，再次获得国家科技奖励一等奖。该项目推动了半导体发光学科和半导体照明显示产业发展。

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