财联社 7 月 9 日讯（编辑 马兰）今年早些时候，三星电子和 SK 海力士均传出引入混合键合设备，预计将在下一代 HBM4 芯片上应用。

混合键合工艺属于半导体先进封装技术。与传统键合技术不同，混合键合技术无需凸点即可直接连接相邻 DRAM 芯片的铜互连线。

报告指出，这使得 HBM 封装更加轻薄，同时提升了散热性能和电源效率，并支持更高密度的 HBM I/O 端子互连，从而实现内部数据传输，提升器件性能并降低功耗。在封装领域，该技术与 TSV、EMIB 等工艺共同形成竞争或互补关系。

然而，有最新报道指出，两家公司正重新考虑应用这一技术的时间。业内越来越多人猜测，下一代 HBM 芯片的混合键合技术广泛应用可能会比预期更晚。

迫切性降低

尽管混合键合技术曾一度被认为会在 HBM4 芯片上首次亮相，但三星电子和 SK 海力士据悉最终还是决定继续使用传统的热压键合技术。目前，行业预测认为，混合键合技术最早可能在 16 层 HBM4E（第七代 HBM）芯片上得到应用。

一些业内观察人士指出，混合键合技术的关键优势，包括更薄的 HBM 封装和更优异的热性能，在客户看来正在变得不那么重要。

目前，整个行业对 HBM 厚度标准逐步放宽。在 HBM3E 之前，标准封装厚度为 720 微米。然而，从 HBM4 开始，厚度限制放宽到 775 微米，这主要反映了 DRAM 堆叠结构从 8 层和 12 层向 12 层和 16 层配置的转变。

厚度标准的放宽降低了业界对芯片间距最小化的需求，此外，包括英伟达在内的主要客户对更高堆栈数 HBM 的需求也出现延迟，这意味着对芯片封装工艺要求的降低。

尽管如此，三星电子、SK 海力士和其他主要存储器公司仍在继续研发混合键合技术。业内人士预测，随着 HBM I/O 数量的急剧增加，混合键合技术的需求将会再次出现。