快科技 7 月 11 日消息，长鑫存储正在 HBM 赛道加速追赶国际巨头。目前该公司已推出 HBM3 样件，向华为等国内 AI 芯片厂商供货，正处于量产前的验证环节。

同时规划 2027 年实现 12 层 HBM3E 的量产。如果该计划顺利落地，长鑫存储与三星电子、SK 海力士、美光三家头部存储厂商的技术差距将缩短至 2 到 3 年。

长鑫存储在 HBM3 架构标准上已追平三星和 SK 海力士，中韩两国在 HBM 领域的差距从此前的多代落后缩至仅 3 年。

行业消息人士透露，长鑫在技术上已具备 HBM3 量产能力，虽然良率仍是制约因素，但技术层面已不存在代差。此前长鑫采用跨代技术路径，从 DDR4 直接进入 HBM3 开发，大幅缩短了追赶时间。

产能扩张同步推进。长鑫存储在合肥运营两座 12 英寸 DRAM 工厂，北京一座，总晶圆产能约为每月 30 万片。上海新工厂计划从 2027 年起正式投产，投产后整体产能将达到现有水平的两倍以上。

长鑫将 DRAM 总产能的约 20% 投入 HBM 制造，月产能可达 6 万片晶圆。

市场份额持续攀升。据 CFM 闪存市场数据显示，2026 年第一季度长鑫存储 DRAM 销售收入达 73.09 亿美元，环比增长 115.1%，市场份额升至 7.7%，排名全球第四。