【颠覆性技术有望改变未来五年尖端芯片制造方式】财联社 7 月 13 日电，AI 技术热潮翻涌，对尖端芯片的需求旺盛，但全球芯片供应仍受限于几家公司的技术和产能。美国《福布斯》双周刊网站在近期报道中指出，随着新兴技术不断崛起，全球尖端芯片制造方式有望在 2030 年迎来巨变。EUV 光刻虽是当下主流，却并非将微小晶体管 " 画 " 在硅片上的唯一路径。一批着眼于未来的光刻新技术，正蓄势待发。它们有望替代 EUV 光刻，重塑尖端芯片的制造方式。原子光刻抛开 " 光 " 改用原子束在硅片上蚀刻极微小的图案。一旦成功，它能将特征尺寸在 EUV 光刻的基础上再缩小一至两个数量级。另一值得关注的前沿方案是 X 射线光刻。它依旧沿用 " 光 " 的范式，却将其推向极致：X 射线在电磁波谱中比极紫外光更靠外，波长更短（可低于 1 纳米），能量更强，理论上能刻画更微小的晶体管。迄今无人证明 X 射线光刻机能以足够低的成本和足够高的产量实现商业化。另一个参与者是 xLight，与 Substrate 的颠覆路线不同，xLight 寻求与现有生态和谐共存，开发能融入而非取代 ASML 等公司架构的技术。来自中国的力量同样在挑战 EUV 的统治。上个月，华为宣布研发出一种新型半导体架构，无需极紫外光刻便可制造尖端 AI 芯片。（科技日报）