2026 年 7 月，全球存储产业迎来资本密集期——韩国存储巨头 SK 海力士正式登陆纳斯达克，创下外国企业赴美 IPO 募资规模新纪录；几乎同一时间，中国 DRAM 龙头长鑫科技启动科创板发行程序，拟募资 295 亿元成为科创板史上第二大 IPO。两大存储巨头先后叩开资本市场大门，恰逢 AI 驱动的存储超级景气周期顶点，赚得盆满钵满的财报背后，既有行业红利普涨的共性，也暗藏着两条截然不同的发展路径。

一个依托本土市场极速追赶，一个凭借技术壁垒收割全球溢价——当长鑫科技与 SK 海力士在资本舞台上同框亮相，两份招股书揭开的不只是财务家底，更是全球存储产业新格局的底牌。

营收规模：巨人领跑，新星疾驰

从绝对体量看，SK 海力士作为全球第二大存储厂商，营收规模仍对长鑫存储构成数量级优势。招股书显示，SK 海力士 2023 年至 2025 年营业收入分别为 213.75 亿美元、431.94 亿美元和 637.65 亿美元，两年间营收增长近两倍。2026 年第一季度，公司单季营收达 345.1 亿美元，同比激增 198%，已超过 2023 年全年水平。

长鑫存储的营收基数虽小，但增长势头更为迅猛。2023 年至 2025 年，公司营业收入从 90.87 亿元增至 617.99 亿元，复合增长率高达 160.78%。进入 2026 年，增长曲线进一步陡峭——一季度单季营收 508 亿元，同比暴涨 719%，接近 2025 年全年总和；公司预计上半年营收将达 1100 亿至 1200 亿元，同比增幅超 600%。

两家公司营收爆发的底层逻辑既有共性也存差异。共性在于全球 DRAM 价格周期的强力上行，2024 年末以来 DDR5 现货价格累计涨幅约 4 倍，HBM 高阶产品价格也持续增长，全行业量价齐升。差异则体现在产品结构上，SK 海力士的增长由 HBM 等高附加值产品主导，AI 相关业务营收占比已接近五成；长鑫存储的增长更多来自传统 DRAM 产能释放与国产替代渗透率提升。

盈利能力：周期红利下利润率狂飙

盈利能力是本次两家招股书最受市场关注的指标，二者均创下历史最佳盈利水平。

SK 海力士 2025 年实现净利润 281.9 亿美元，净利率达 44.2%；2026 年一季度营业利润率攀升至 72%，不仅高于台积电同期的 58.1%，也超过英伟达约 65.6% 的营业利润率水平，创下全球半导体行业大型企业利润率的新纪录。如此高的利润率主要源于 HBM 业务的超强定价权—— SK 海力士 HBM 全球市占率达 56-58%，长协订单已锁定至 2028 年，单 GB 定制化 HBM 报价高达 120 至 200 美元，毛利率远超传统 DRAM。

长鑫存储的盈利反转同样惊人。2024 年公司归母净利润仍亏损 71.45 亿元，2025 年便实现扭亏，归母净利润 18.75 亿元，2026 年一季度归母净利润跃升至 247.62 亿元。公司预计上半年归母净利润 500 亿至 570 亿元，日均盈利超 3 亿元，足以覆盖过去九年累计亏损后仍有富余。

但需客观看待二者高利润率的构成差异。SK 海力士的高毛利建立在产品结构升级之上，HBM 等高阶产品贡献了主要利润增量，具备较强的技术壁垒支撑。长鑫存储当前的高利润率更多受益于行业价格普涨，专业媒体 SemiAnalysis 分析其单位比特成本仍比国际三大巨头高出 30% 以上，产品以主流 DDR5 和 LPDDR5 为主，HBM 尚处于研发试产阶段，一旦行业价格回落，利润率弹性可能更大。

从毛利率走势看，长鑫存储的改善幅度更为陡峭。2023 年公司综合毛利率仍为负值，2024 年转正至 5% 左右，2025 年快速提升至 41%；SK 海力士 2025 年综合毛利率约 49%，2026 年一季度受 HBM 占比提升进一步走高，整体盈利质量更为稳固。

研发投入：持续布局新一代存储构筑领先优势

在技术密集的存储赛道，研发投入力度与方向决定了未来的座次。两家公司在研发投入上呈现 " 强度相近、量级悬殊 " 的特征。

长鑫存储 2025 年研发支出 95.93 亿元，研发费用率 15.52%，显著高于同期 SK 海力士 6.66%、三星 11.31% 和美光 10.16% 的研发费率水平。2023 年至 2025 年，公司累计研发投入 206 亿元，占同期营收比例达 21.67%，资金主要投向 LPDDR5、DDR5 等当前主流制程的良率提升与量产，并向 HBM 等高端封装技术进行探索性布局。身处国际出口管制的大背景下，高额研发既是主动进攻，也是构筑供应链安全堡垒的必需品。

SK 海力士 2024 年研发投入约 4 万亿韩元，2025 年进一步增长。从绝对金额看，其研发规模约为长鑫存储的三至四倍，在 EUV 光刻工艺、HBM 堆叠技术等前沿领域积累深厚。其研发聚焦于 HBM3E 及下一代 HBM4，以及 300 层以上 NAND 闪存，技术代际领先优势明显。

研发策略上，两家公司走了截然不同的路径。SK 海力士采取 " 顺代迭代 " 策略，紧跟摩尔定律推进制程微缩，同时在 HBM 等新形态上引领行业标准。长鑫存储则采用 " 跳代研发 " 策略，十年间完成从第一代到第四代工艺平台的量产跨越，在没有 EUV 设备的条件下通过多重曝光等技术创新实现工艺追赶，目前已量产 DDR5 和 LPDDR5X 产品，速率指标进入全球第一梯队。

产品结构：分层竞争格局

产品结构差异是两家公司最核心的分野，也决定了各自在产业价值链中的位置。

SK 海力士已形成完整的产品矩阵。DRAM 领域，HBM、服务器 DDR5、移动 LPDDR5X 三大产品线齐头并进，其中 HBM 全球市占率第一，是英伟达、AMD 等 AI 芯片厂商的核心供应商。NAND 闪存领域，公司通过收购英特尔闪存业务跻身全球第二，企业级 SSD 业务增长迅速。整体来看，AI 相关业务已成为 SK 海力士第一增长引擎，

长鑫存储目前产品集中在主流 DRAM 市场。DDR 系列占营收约 28%，LPDDR 系列占 70%，服务器级 DRAM 占比逐年提升至 25%。客户群体以国内云厂商、消费电子品牌为主，阿里云、腾讯、字节跳动、联想、小米等均为核心客户，安卓手机市场采用率已突破 30%。HBM 产品方面，公司已交付 HBM3 样品，计划 2026 年底小规模量产，但短期内难以贡献显著收入。

市场份额层面，SK 海力士 56.4% 的市占率位居全球 HBM 赛道首位，加上 NAND 业务整体规模更为庞大。长鑫存储以 7.7% 的市占率位列全球第四，一年间份额提升近 5 个百分点，是前四大厂商中增速最快的一家，打破了此前三星、SK 海力士、美光三家垄断近九成市场的格局。

产能扩张与资本规划：募资投向各有侧重

两家公司本次上市募资均主要投向产能扩张与技术研发，但节奏和重点各有侧重。

SK 海力士本次美股募资约 265 亿美元，创下外国企业赴美 IPO 历史纪录。募资将主要用于清州、龙仁等地的 HBM 产线扩建，以及下一代 HBM5、1b nm DRAM 工艺研发。公司手握充裕现金，2026 年一季度末货币资金超 3.2 万亿韩元，资产负债率 26%，财务结构健康，本次募资更多是战略层面的全球化资本布局，而非单纯的资金需求。

长鑫存储科创板拟募资 295 亿元，全部投入 DRAM 工艺研发与产能扩建。公司目前合肥、北京三地三座 12 英寸晶圆厂月产能约 30 万片，产能利用率超 95%。募资投产后，2026 年底月产能目标提升至 40 万片，上海新工厂建成后还将新增 40 至 60 万片月产能，远期目标全球市场份额 15% 至 20%。相对于 SK 海力士，长鑫存储的募资更具现实紧迫性，是支撑其产能爬坡和技术追赶的关键资金来源。

结语

站在 AI 存储超级周期的时点回望，SK 海力士与长鑫存储的先后上市，勾勒出全球存储产业两条并行的成长曲线。

SK 海力士以无可争议的技术与规模优势，昭示着领跑者的溢价能力；长鑫存储则以极速的成长、历史性的盈利拐点以及毫不惜力的研发豪情，展现出追赶者的韧性。

客观而言，二者在技术代际、产品高端化程度、全球客户覆盖等方面仍有明显差距，长鑫存储在 HBM、先进制程等领域还需持续追赶。但不可否认的是，中国存储厂商已真正登上全球竞争的主舞台，在 DRAM 这个曾经高度垄断的赛道上，全球第四的位置正在从 " 参与者 " 向 " 改变者 " 演进。

存储行业的周期性从未改变，但 AI 浪潮正在重塑周期的振幅与结构。对于 SK 海力士，考验在于能否将 HBM 的领先优势转化为长期技术壁垒；对于长鑫存储，挑战在于如何在周期波动中持续缩小技术差距，完成从规模扩张到价值升级的跨越。两家公司的资本之路，正是全球存储产业新格局的缩影。