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SK海力士龙仁工厂提前开建:明年2月试产DRAM
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快科技 7 月 14 日消息,SK 海力士开始为龙仁 Y1 工厂订购设备,计划明年 2 月试生产,比原计划提前了不少。

Y1 是 SK 海力士在龙仁打造的大规模半导体集群的第一座工厂,1 期工厂由 2 个骨架和 6 个洁净室组成,其中第一个洁净室(ph1)正在建设中。

原本计划明年 5 月开放 ph1,现在提前到 2 月,SK 海力士已经开始向主要合作厂商订购设备。

生产目标是 1c DRAM(第六代 10 纳米级 DRAM),这是目前最新一代 DRAM,用于 AI 用 DDR/LPDDR 和即将商用的 HBM4E。

月产能目标 2 万片,明年 2 月试生产,3-4 月开始正式设备安装。

设备厂商也在加快响应,SK 海力士把通常年底才进行的销售单价合同提前到第三季度初就开始,为尽快导入设备做准备。

龙仁半导体集群总投资 600 万亿韩元(约 3.2 万亿元人民币),共 4 座工厂,原计划 2045 年建成,现在提前到 2033 年,整整提前了 12 年。

SK 海力士下半年还会启动 ph2 和 ph3 的洁净室建设,整个工厂建设进度非常紧张。

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