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阿斯麦:英特尔实现High NA EUV高数值孔径光刻量产应用
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快科技 7 月 15 日消息,据媒体报道,阿斯麦宣布,英特尔代工已在 Intel 18A 工艺节点上,利用阿斯麦高数值孔径极紫外(High NA EUV)光刻技术,量产部分 Intel Core Ultra Series 3(代号 Panther Lake)处理器,成为全球首家实现 High NA EUV 逻辑芯片高产量出货的企业。

双方表示,Intel 18A 部分工艺层已完成 High NA EUV 双重认证,产品良率已达到现有 NXE EUV 平台的水平,后续将持续推进该技术在未来制程节点的应用。

18A 是英特尔首个同时采用 RibbonFET 全环绕栅极晶体管与 PowerVia 背面供电技术的量产级节点,Panther Lake 芯片已基于该工艺实现量产。

产能布局方面,英特尔计划将 18A-P 节点转移至 Fab 62 工厂进行长期大规模生产,14A 节点预计 2028 年风险试产、2029 年量产。

Fab 52 工厂目前已部署 4 台 ASML 极紫外光刻设备。据设备业者此前透露,18A 月产能预计 2026 年可达 1 万至 1.5 万片,2027 年后有望提升至 3 万片水准。当前 3 万片的月产量已提前达成原定目标,显示出强劲的量产推进节奏。

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