快科技 7 月 16 日消息，SSD 硬盘使用的 NAND 闪存存在寿命问题，尤其是在 TLC、QLC 大行其道之后，三星最新公布了一项新技术，有望将 TLC 寿命大幅提升 43%。

NAND 闪存的基本原理决定了它存在写入寿命，反应在指标上就是写入数据的过程中要擦除，用对存储单元进行加压，这里面就涉及 2 个因素——电压大小、脉冲时间，也就是擦除用的电压及擦除时间才会决定闪存的寿命。

常规的操作大约是 20V 电压、3.5ms 一次的脉冲来擦除闪存，三星的新技术就是对脉冲时间做优化，在 3.5ms 一次的脉冲时间之外，再减少一些脉冲时间，有 2.5ms 甚至 1.5ms。

说简单形象一点就是，闪存就像是一座有固定值的矿石，采矿的力度和时间决定能挖多少时间，三星是优化了每次挖矿的时间，这就能显著提升矿产的可用时间，这一点改进就让 3D TLC 闪存的寿命提升了 43%。

以后如果进一步优化，SSD 寿命翻倍甚至几倍提升都不是不可能的，这方面可改进的空间还是挺大的。

当然，对普通消费者来说，其实 1TB 容量之后大家就没必要担心 SSD 写死的问题了，哪怕是 TLC 甚至 QLC 闪存几百次的擦写寿命也足够用了，主控可能比闪存本身更早出问题。

三星这个技术提升寿命对 AI 行业来说更有意义，大模型需要存储的数据量比之前的业务大多了，频繁操作显然对 SSD 寿命要求很高，三星这个技术能显著延长 SSD 的使用寿命，不用那么快就淘汰了，变相降低了成本。