2026 年，A 股硬科技赛道迎来历史性里程碑。国产存储芯片两大核心龙头——主打 DRAM 内存的长鑫科技与主打 3D NAND 闪存的长江存储，双双加速冲刺 A 股 IPO，堪称国产半导体产业资本化进程中最重磅的事件之一。

7 月 16 日，长鑫存储正式开启申购，发行价 8.66 元 / 股，发行后总股本 668.81 股，发行 66.88 亿股，以发行价计算公司总市值 5792 亿元，以 7 月 15 日收盘市值计算，排名第 27 名，超越华虹宏力，将于 27 日在科创板挂牌交易。

值得注意的是，根据统计数据显示，上半年科创板 11 只新股上市首日的平均涨幅在 437%，按此计算，长鑫科技上市首日，总市值有望破 2.5 万亿。

根据公司最新的招股说明，2026 年上半年实现营收 1100 亿元至 1200 亿元，同比增长 612.53% 至 677.31%；实现归母净利润 500 亿元至 570 亿元，同比增长 2244.03% 至 2544.19%。净利润率达 45.46%-47.5%。全年归母净利润有望超 1000 亿元。给予 50 倍 PE，总市值市值有望超 5 万亿。

需要注意的是，长鑫科技业绩暴增的核心因素在于 AI 基建扩张带来存储需求供不应求 + 涨价带来的双重驱动。

基于今年的高基数，若 2027 年存储芯片不再涨价，甚至出现下跌，那么 2026 年或将是存储业绩未来几年中最好的一年，意味着业绩增速带来必然是下滑，市值也同步缩水。

因此，长鑫科技上市之日即是巅峰之日的概率极大。

这里不是无的放矢，复盘 2020 年中芯国际科创板上市的行情，这场万众期待的存储 " 资本盛宴 " 背后，暗藏着不容忽视的市场风险：巨头集中 IPO，往往是板块情绪见顶、行情阶段性落幕的信号。两大存储双子星密集登陆资本市场，大概率不是行情起点，而是本轮科技牛市的阶段性终点。

一、复盘中芯国际：巨头上市 = 行情拐点？

2020 年的中芯国际 IPO，是 A 股科技史上最典型的 " 上市即巅峰 " 案例。彼时中芯国际从受理、过会到注册上市仅用时 29 天，募资总额高达 532 亿元，创下当时 A 股科技股募资纪录、全市场 IPO 第五高规模。上市当日，中芯国际 A 股暴涨 202%，市场情绪达到极致狂热。

但狂欢转瞬即逝。巨额募资带来的超强资金虹吸效应，直接带崩全市场：科创 50 单日暴跌 8.82%，沪指、创业板指、深成指全线大跌超 4%，就连贵州茅台也大幅下挫、逼近跌停。

更关键的是，中芯国际自身股价在创出历史新高后，开启了长达六年的漫长震荡回调。上市当日入场的投资者，长期深陷被套困境，直至 2026 年才彻底摆脱当年的高点压力。这也印证了 A 股铁律：超级巨头 IPO 落地，就是利好兑现、情绪退潮的分水岭。

二、存储双子星来袭：资金与情绪双重挤压，短期或面临明显承压

如今，长鑫科技与长江存储两大接力上市，体量与影响力远超当年的中芯国际，对市场的冲击只会更大。

从募资规模来看，长鑫科技拟募资 295 亿元，长江存储募资区间预计 300 至 400 亿元，两家合计募资规模有望刷新科创板历史纪录，整体估值更是突破 3000 亿元。即便当前 A 股日均成交达三万亿级别，如此体量的 " 航母级 IPO"，依然会大幅分流科技板块存量资金，造成流动性收紧、题材退潮。

从交易规律来看，A 股历来遵循利好提前炒作、落地即是利空的逻辑。存储板块、半导体设备、材料等上下游标的，早已提前透支了两大巨头上市的利好预期。一旦 IPO 靴子正式落地，前期埋伏的海量获利盘将集中兑现，大概率引发板块集体回调。

从估值层面分析，当前市场对存储龙头的估值已然透支。根据招股书数据，长鑫科技 2026 年上半年归母净利润预计高达 500 亿— 570 亿元，同比暴增 2244% 以上。机构按按照 2026 年归母净利润 1500 亿元— 2000 亿元、20 倍市盈率测算，给予其至少 3 万亿市值预期，乐观估值更是冲击 4 万亿。

但超高估值需要持续爆发的业绩支撑。若要稳住 5 万亿甚至更高市值，长鑫科技 2027 年净利润需突破 2500 亿，而这一切的前提是存储芯片价格持续高位运行。从行业基本面来看，这一条件几乎无法长期维系。

三、全球产能全面大扩张，存储超级周期或即将见顶

本轮存储牛市的核心逻辑，是供需紧平衡、价格持续上涨。但随着国内外产能集中释放，行业供不应求的格局即将彻底逆转。

作为国内唯一量产 DRAM 的 IDM 龙头，长鑫科技产能正高速扩张。根据 TrendForce 数据，2025 年底月产能预计达到 30 万片 ( 360 万片 / 年 ) ，同比增长接近 50%，2026 年底将突破 40 万片。主要分布在在合肥、北京两地的 3 座英 12 寸 DRAM 晶圆厂。

当前正在上海建设新的芯片工厂，规划月产能 40-60 万片 ( 年产能 480 万 -720 万片 ) ，大约是合肥现有产能的 2-3 倍，计划 2027 年实现量产 。预计 3 年之内，长鑫存储的合计产能要达到 100 万片 / 月，比 2025 年扩大 5 倍。

在市场份额方面，根据招股说明书，2023 年第四季度，长鑫科技的全球市场份额仅为 4.2%；2024 年第四季度，提升至 6.8%；2025 年第四季度，进一步增至 7.67%，跃居全球第四，预计到 2026 年将达 15%。

长江存储的扩产力度更为激进。目前公司武汉两座晶圆厂月产能已达 20 万片，三期工厂已于 2026 年启动设备安装，年底投产后，整体月产能将飙升至 50 万片，年产 600 万片晶圆，可满足全球 15% 的 3D NAND 市场需求。

截至 2026 年第一季度，长江存储全球市场份额 16.4%，位列全球第四。国内市场方面，长江存储 2026 年第一季度占据国内 3D NAND 市场份额约 35%，成为国内最大的 3D NAND 供应商。

国产双雄疯狂扩产的同时，海外三星、SK 海力士、美光三大存储巨头也并未停下脚步。

根据其从 Omdia 获取到的数据，全球三大 ( 三星电子、SK 海力士、美光 ) DRAM 内存原厂， 2026 年总产能将在 1800 万片晶圆上下，相较 2025 年增长约 5%。加上长鑫存储以及其他存储厂商，2026 年全球 DRAM 内存将超 2000 万片，2027 年产能有望进一步扩散，通用型 DRAM/NAND 价格面临承压的概率

而且三大原厂的新一波 DRAM 产能将在 2027 至 2028 年将迎来新一轮产能集中落地，届时全球 DRAM 年产能将突破 3000 万片，市场供给将彻底过剩。

四、行业权威预警：2027 年存储超级周期或终结

当前市场存在一个普遍误区：AI 高需求会永久支撑存储涨价。但行业核心变量早已悄然改变。

一方面，海外存储巨头正将核心产能向高溢价的 HBM 高端存储转移，国产在这块几乎为零。基本被海力士、三星、美光把控，市场份额分别为 52%、39%、9%。

当三大巨头产能传统的 DRAM、NAND 产能持续收缩，这给了国产替代绝佳的份额提升机会。但随之而来的，是全球传统存储产能整体过剩、价格下行的必然趋势。

另一方面，行业顶级大佬已明确预警周期拐点。三星电子前半导体业务高管公开表示：由 AI 驱动的存储超级周期，将于 2027 年下半年正式终结。

核心逻辑十分清晰：随着中国两大存储厂商积极扩大产能，长鑫存储 DRAM 产能从 2024 年初的 10 万片 / 月，快速爬坡至 2026 年底的 40 万片 / 月；长江存储 NAND 产能从当前 20 万片 / 月，三期投产后目标 50 万片 / 月。全球存储芯片的供应格局或将迎来巨变，内存价格有望在明年下半年或 2028 年上半年出现显著下跌。

另外，存储需求能持续保持高增长的核心驱动在于大型科技公司（如亚马逊、微软、谷歌等云服务提供商）的资本支出保持高增长，一旦资本支出回报率开始下降，可能会导致它们放缓投资步伐。这将直接影响对服务器内存、HBM 等高端产品的需求，从而为市场降温。

因此，基于产能和全球科技巨头资本开支的变量，2026 年或将是全球存储芯片公司业绩表现最好的一年，随后由于高基数且增速放缓、价格下降，存储公司的业绩或在 2027-2028 连续下滑的概率。

若 AI 资本支出出现下滑，那么价格可能‌提前见顶回落‌

五、终极结论：2026 年或是存储业绩巅峰之年，亦是行情颠覆之年

综合产能、周期、估值、资金四大维度可以确定：2026 年将是全球存储芯片业绩最鼎盛的一年。

高基数、供需关系变化、价格下行、增速放缓四大压力，将导致 2027 — 2028 年存储企业业绩面临承压风险。而长鑫科技、长江存储选择在行业景气度最高点上市，完美契合 A 股 " 巅峰上市、盛极而衰 " 的历史规律。

所以，答案已然清晰：长鑫、长江存储的上市之日，大概率或是本轮国产存储牛市、科技赛道行情阶段性见顶之时。

风险提示：存储芯片涨价持续超预期或者扩产不及预期。