快科技 7 月 22 日消息，三星可能要到 2029 年才能量产使用混合键合技术的 HBM 芯片，届时将配合英伟达的下一代 Feynman AI GPU。

混合键合是下一代 HBM 制造技术，通过移除 DRAM 层间的微凸点，减少层间空间，提供更好的性能，被认为是 HBM 的未来方向，与传统微凸点连接相比，混合键合能让芯片层与层之间贴合更紧密，数据传输更快、功耗更低。

三星正在从荷兰 BE Semiconductor 购买 50 台混合键合机器，计划今年底开始安装，2029-2030 年大规模量产。

与此同时，三星还在开发定制 HBM 芯片，将逻辑芯片直接集成到 HBM 中，采用 3D 系统级封装（SiP）架构，进一步提升性能。

英伟达的 Feynman AI GPU 预计将在 Rubin Ultra 之后推出，将依赖 3D 堆叠和定制 HBM，与三星的混合键合量产时间点相吻合。

三星的混合键合量产时间比预期晚，可能影响其在 HBM 市场追赶 SK 海力士的进度，但 2029 年与英伟达新 GPU 配合的时间点显示三星正在瞄准下一代市场。

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