快科技 7 月 30 日消息，据媒体报道，英特尔在超大尺寸封装技术上取得重要突破，目前已能够制造出尺寸超过光刻掩模版 12 倍的超大型芯片。

这一进展由英特尔位于美国新墨西哥州里奥兰乔的工厂推动，其先进封装能力正不断刷新 " 光罩极限 " ——当前封装尺寸已达到行业标准的 8 倍，并计划于 2028 年扩展至 12 倍以上。

超大规格封装面临的核心挑战在于底填材料的流动工艺。目前，采用 EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术的封装，底填最大流动距离约为 43 毫米，而标准封装仅为 22 毫米。当封装尺寸大幅增加时，不仅需要更长的流动距离，还极易残留气泡，影响可靠性。

为此，英特尔通过三项针对性改进攻克了上述难题：首先，优化底填材料配方，在降低粘度的同时延长流动距离，且不牺牲机械可靠性；其次，将传统的边缘点胶策略改为多点点胶，有效缩短了实际流动路径；最后，优化固化工艺，彻底消除残留空洞，实现了无气泡封装。

目前，这些超大芯片的封装尺寸已达 240 毫米 x 240 毫米，对应的光罩尺寸达到 24 倍，这一规模在除面板级封装以外的所有封装类型中均属最大。

随着英特尔持续加速推进先进封装方案，其路线图显示，近期将把封装尺寸扩展至 7 倍以上光罩尺寸，下一步目标直指 12 倍以上；而面板级封装技术的引入，更有望将这一数字提升至 50 倍以上，为未来高性能计算和异构集成提供更广阔的物理空间。