财联社 7 月 30 日讯（编辑 马兰）人工智能需求激增导致全球内存供应紧张，用于数据中心的高带宽内存 HBM 不断挤占传统 DRAM 的产能，这让业内警告 DRAM 与企业级 SSD 又贵又缺。

台湾存储芯片企业宇瞻科技（Apacer）首席执行官张家騉指出，明年全球传统 DRAM 供应量将急剧下降，只能交付今年目标产能的 30%，这意味着明年实际供应量可能同比下降 70%。

这与 SK 海力士首席执行官郭鲁正上周的警告一致。郭鲁正表示，即使在内存市场已经开始调整，但未来仍可能更加艰难，从供应角度来看，2027 年将是该行业历史上最糟糕的一年。

还有一份报告预测，2027 年至 2028 年内存相关的晶圆供应预计将以每年 12% 的速度增长，带动内存以 20% 的速度增长，但其中约一半将用于 HBM。因此，非 HBM 内存供应年增长率仅有 15%，而需求的年增长率却有 22%。

这一预测代表着 DRAM 芯片将继续困在供小于求的困境中，相关产品价格将持续居高不下，这对消费电子产业来说将是噩梦般的末日。

内存周期

张家騉此前指出，科技巨头快速兴建人工智能服务器导致 HBM 需求持续增长，因此三星电子、SK 海力士以及美光更倾向追求高毛利的 HBM 业务；另一方面，企业级 SSD 也因为大语言模型、模型推理等新技术带动需求升温，形成内存、固态硬盘双双缺货的局面。

内存和固态硬盘对于消费电子来说是关键零部件，个人电脑、手机等成本敏感型产品的制造商已经开始缩减采购，而这一局面预计至少持续到 2027 年上半年。

三星电子韩国平泽工厂 P5 Fab 1 预计在 2027 年 7 月投产，P5 Fab 2 以及龙仁新基地则均提前至 2029 年投产；SK 海力士也将位于龙仁的 Y1 厂和 Y2 厂提前投产，分别提前至 2027 年 2 月和 2028 年下半年。

业内指出，新产能的加入通常是半导体上升周期接近尾声的重要指标，DRAM 的景气高点可能在 2028 年下半年，人工智能数据中心的资本支出则可能在 2029 年进入平台期。

而在此之前，业内认为消费电子行业唯一可能出现的转机将来自于中国内存制造商长鑫科技的 3D DRAM 技术的商业化。这种方法能够在不缩小水平节点尺寸的情况下，最大限度地提高原始比特密度和存储容量。