来源：环球市场播报

三星电子公司周四表示，将于今年年底在美国德克萨斯州泰勒厂区启动第二座半导体晶圆厂（泰勒 2 号晶圆厂，Taylor Fab 2）的建设工作。

这家全球最大存储芯片厂商在财报电话会议上表示，计划在 2026 年内动工修建泰勒 2 号晶圆厂，目标在 2030 年实现投产。

三星电子补充称，泰勒 1 号晶圆厂项目建设按计划推进，预计 2026 年投入运营；厂区投产之后，公司将逐步扩产 2 纳米工艺芯片。

三星表示：" 随着客户咨询 1.4 纳米工艺的需求持续增加，我们也在评估新增晶圆制造产能的方案。后续将结合客户订单与商务洽谈，分阶段制定详细规划。"

该公司还表示，正逐步将成熟工艺产能转向盈利能力更强的 3 纳米产品生产，同时集中资源布局具备高技术壁垒的高价值特色芯片产品。