快科技 8 月 2 日消息，据媒体报道，英特尔正全力推进俄亥俄州大型晶圆厂园区的建设，目标是在 2031 年实现全面运营。为加速这一长期计划的落地，公司正为员工提供高额加班奖金，以激励工程进度。

该园区占地约 1000 英亩（约 405 公顷），将用于生产英特尔 " 埃米时代 " 的制程节点，包括 18A 和 14A 工艺。按计划，园区将于 2031 年实现 14A 工艺的大规模量产。

与此同时，英特尔的 EMIB-T 先进封装技术也取得重要进展，目前唯一悬而未决的关键瓶颈在于基板良率。

EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术通过在有机基板中嵌入微型硅桥，在单个处理器封装内连接多个芯粒。该方案仅在芯粒与硅桥相连的边缘区域布置高密度微凸点，从而实现高速互连。而 EMIB-T 则进一步引入贯穿硅桥的硅通孔（TSV），这些垂直通道可直接从封装底部向堆叠的处理器或内存传输电力与高速信号，支持三维芯片堆叠。

值得注意的是，EMIB-T 的成本较台积电 CoWoS 方案低约 50%。英特尔预计于 2027 年大规模提供 EMIB-T 封装服务，目前该技术的封装良率已接近 90%，但基板良率仍停留在约 50%，成为产能扩展的主要障碍。

EMIB-T 所用基板包含三层关键结构：基础有机基板面板，由 Ibiden（核心供应商）、Shinko、Unimicron 和 AT&S 等厂商制造，面板内设有精密凹槽以安置硅桥；覆盖于硅桥上方的介电层堆叠，采用业界标准的味之素积层膜（ABF）；以及内含 TSV 的硅桥本身，用于垂直信号与电力传输。

目前基板环节拖慢了 EMIB-T 的大规模封装服务进度。供应商 Unimicron 近期表示，EMIB-T 仍处于早期发展阶段，当前工作重心是快速提升产能并改善良率。