《科创板日报》8 月 5 日讯 当地时间 8 月 4 日，在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上，三星电子首次官宣了 zHBM 和 zNAND-O 两款概念产品。

根据三星电子首席技术官宋载赫的定义，产品名中 "z" 的含义是 Z 轴，象征着将 HBM 或 NAND 沿着垂直方向堆叠。其中，zHBM 将高带宽内存直接垂直堆叠于 AI 加速器芯片之上，性能预计约为下一代 HBM5 的 8 倍。

在传统设计中，HBM 内存堆叠与 AI 芯片通过硅中介层并排集成于同一封装内，业界称之为 2.5D 封装。而对于 zHBM 来说，其能通过最大限度地缩短 AI 处理器和内存之间的数据传输距离，以提供更高的带宽和更高的能效，从而实现大规模 AI 训练和推理所需的超快速数据处理。

三星电子声称，结合下一代晶圆键合技术，zHBM 的内存密度可达 HBM5 的 10 倍以上，能效提升 3 倍，热阻降低逾 50%。该产品量产时间预期或设定在 2029 年前后，目前尚无明确量产时间表。

图源：三星电子

与 zHBM 一同推出的 zNAND-O 是一款高性能 NAND 闪存解决方案，专为端侧 AI 设计。

该产品结合了 V-NAND 垂直堆叠技术与硅通孔（TSV）技术从而进行 3D 封装，目标量产时间为 2028 年，将提供四层和八层两种版本。凭借高空间利用率和响应速度，该技术支持移动和端侧设备中的实时大规模数据处理。

从技术路径来看，zNAND-O 与 SK 海力士 HBF 概念相近，两者本质上均为采用 TSV 技术的 NAND 闪存。然而三星电子方面澄清道，HBF 的设计初衷是在服务器端填补 AI 加速器旁侧的内存分层空缺，而 zNAND-O 则定位为面向端侧设备存储大型模型。

图源：三星电子

除上述两款 "z" 系列产品外，三星电子在大会期间还发布了 V10 BV-NAND，即首款采用晶圆键合（Bonding V-NAND）架构的 3D NAND 产品。

晶圆键合架构是一种将单元和电路分别制造，然后垂直连接的方法。通过将其与三层堆叠技术（分别制造三个堆叠层并将它们连接起来）相结合，实现了超过 400 层的堆叠。与上一代产品（V9）相比，V10 BV-NAND 的存储密度提高了约 58%。

眼下，各巨头正加速推动存储技术演化，以应对日益膨胀的 AI 推理需求。就在昨日，SK 海力士与闪迪宣布，推出高带宽闪存（HBF）的行业首套标准规范，进一步推动 HBF 标准化工作，以满足 AI 推理时代的需求。

招商证券表示，存储优化技术改善整体推理成本，进一步推动内存需求用量。存储优化技术看似降低单设备内存用量，但实际演进方向是最大化单位内存承载的上下文量与用户数，从而改善 AI 服务的经济性、扩大整体市场规模，形成进一步推升存储需求的正向循环。