【CNMO 科技消息】近日，三星参加美国加州举办的 " 未来存储与内存会议 "（FMS 2026）。大会上公司发布了最新 AI 内存产品组合及技术路线图，包括 zHBM 与 zNAND-O 概念模型预览，展出约 30 项内存与存储技术。

三星 zHBM 模型

存储架构层面，三星推出了 zHBM。其采用突破性设计，将 HBM 垂直堆叠于 AI 加速器正上方，而非传统并列摆放。通过最小化 AI 处理器与存储器之间的数据传输距离，zHBM 旨在提供更高带宽与更优能效，满足大规模 AI 训练与推理所需的超高速数据处理需求。

此外，基于 zHBM 新一代接口的系统性能最高可达到 HBM5 的 8 倍，能效最高提升 3 倍，热阻降低一半以上，有助于提升高性能 AI 系统运行稳定性。同时，新品还支持客户定制设计，从而扩展内存容量并提升加速器性能。

zHBM

存储方案层面，三星同步推出 zNAND-O，这是一款面向端侧 AI 应用的高性能 NAND 闪存解决方案，凭借 TSV 堆叠技术实现 4 层与 8 层堆叠，具备高空间利用率、增强 I/O 性能与低延迟特性，可支持实时且数据密集型的 AI 应用。

zNAND-O

据 CNMO 科技了解，三星还首次展示了 V10 BV-NAND，其采用 400 层以上堆叠结构，存储密度较前代 V9 提升约 58%。此外，HBM4E、HBM5 模型、LPDDR5X-PIM 及企业级 SSD PM1763、BM1773 等产品也已曝光。