快科技 8 月 5 日消息，NAND 闪存在进入 3D 堆栈时代之后，层数越高通常密度就会更高，现在已经做到 400 层以上了，但铠侠不想再玩层数游戏，其 332 层的闪存密度都能做到世界最高。

铠侠前身是日本东芝公司的闪存部门，也是 NAND 闪存的发明人，现在是跟闪迪公司合作研发、生产闪存，其技术路线 BiCS 相比三星、SK 海力士、美光等公司有独到之处，容量密度一向很强。

现在三星等公司正在把闪存层数堆向 400 层以上，但铠侠这方面比较保守，最新的 BiCS10 代闪存才做到了 332 层，之前的才 218 层，在层数这个数字游戏上是吃亏的，不过铠侠的宣传重点是他们用低层数做到了更强。

根据铠侠之前的说法，332 层的铠侠闪存层数比友商少了 23%，但 GB 成本反而低了 10% 不到，能效提升了 10% 以上，可靠性提升 35% 以上。

但是关键的容量密度指标之前没有公布，在日前的 FMS 会议上铠侠终于公布了，BiCS10 的 QLC 闪存做到了 37Gb/mm2，TLC 闪存也有 29Gb/mm2，是世界上最高的。

相比之下，三星的 V10 代 TLC 闪存密度 28Gb/mm2，但层数超过 400，SK 海力士的 Gen9 代 TLC、QLC 密度才 20、21Gb/mm2，层数是 276、321 层。

总之，铠侠新一代闪存在不堆层数的情况下做到了世界最高密度，尽管是用 QLC 打友商的 TLC 闪存不太光彩，但三星的密度即便推算到 QLC 上，跟铠侠也就打个平手，铠侠宣传自己用更低的层数做到了更高的密度，这点上是有两把刷子的。

但是也要看到，三星、SK 海力士的 300-400 层闪存已经是出货中或者试样了，铠侠目前还没完全发布新产品，量产时间也要晚一些，这方面的差距也不能忽视，毕竟友商的新品要是来了，密度差距还是会缩小的。