大功率多口充电器需要根据接入设备实时调整输出电压与功率，内部二次降压电路不仅要承受较大的工作电流，还要在高频工况下兼顾转换效率、温升和有限的结构空间，对功率 MOSFET 的导通电阻、开关性能及可靠性提出了较高要求。

作为全球知名的无人机与影像设备厂商，大疆对产品可靠性、元器件一致性以及供应链稳定性有着较高要求。能够进入大疆产品供应链，也从侧面体现了相关器件在性能、品质及批量交付方面的综合实力。

充电头网通过拆解发现，大疆 DJI Power 140W 2C1A 氮化镓充电器内部采用多颗丝印 4003AL 的功率器件。经核对，这款器件实际型号为中晶新源 SMT4003ALR，在同步降压和输出 VBUS 控制部分共计应用 9 颗，为充电器三路接口的高效功率转换与输出控制提供支持。

大疆 DJI Power 140W 氮化镓充电器型号为 CDT01-CN，采用 2C1A 三接口配置，两个 USB-C 接口均支持 PD3.1 140W 输出，USB-A 接口最高支持 33W 输出，并兼容 PD、PPS、QC、SCP、UFCS 等主流快充协议。

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在多口输出状态下，这款充电器支持智能功率分配，可优先保障大疆设备的快充需求，并在插拔设备时维持其他接口稳定供电，适用于无人机、运动相机、手持云台、笔记本电脑和手机等设备。

充电器内部采用 PFC+AHB 开关电源架构，输出端设置多路二次降压及接口控制电路，根据接入设备的快充需求，对输出电压和功率进行动态调节。

通过拆解发现，充电器二次降压电路采用 2 颗 SMT4003ALR，配合同步降压控制器完成高频功率转换。

在输出接口小板上，采用 4 颗 SMT4003ALR 用于同步降压功率级，另外三颗分别对应各个接口的 VBUS 开关管使用。

中晶新源 SMT4003ALR 是一款 40V N 沟道功率 MOSFET，采用 PDFN3333-8L 封装，主要面向负载开关、高频开关和同步整流等应用。

SMT4003ALR 最大连续漏极电流为 95A，具备较强的电流承载能力。

在 VGS 为 10V、漏极电流为 20A 的条件下，SMT4003ALR 典型导通电阻为 2.3m Ω，最大值为 2.8m Ω；在 VGS 为 4.5V、漏极电流为 15A 的条件下，典型导通电阻为 3.4m Ω，最大值为 4.3m Ω。较低的导通电阻能够减少大电流通过器件时产生的导通损耗，有助于降低同步降压及 VBUS 输出环节的温升。

动态性能方面，SMT4003ALR 在 10V 栅极驱动条件下的典型总栅极电荷为 23nC，在 4.5V 驱动条件下为 11.2nC；结电容 Cj 做了进一步优化，以适配高频特性及快速动态响应。较低的栅极电荷有助于降低 MOSFET 的驱动损耗，提升高频开关响应速度，使器件兼顾低导通损耗与开关性能。

此外，SMT4003ALR 的脉冲漏极电流可达 380A，单脉冲雪崩能量为 230mJ，结温及存储温度范围为 -55 ℃至 150 ℃。产品还经过 100% Δ VDS、UIS 及栅极电阻测试，可满足高功率电源对器件可靠性的要求。

从拆解来看，中晶新源 SMT4003ALR 在这款充电器中的使用并非点到为止，而是覆盖了同步降压和 VBUS 输出控制等多个关键位置，整机共采用 9 颗，其中 7 颗集中在输出小板上。

大疆 140W 2C1A 充电器需要兼顾多口输出、动态功率分配和整机温升，对输出侧 MOSFET 的损耗、体积和可靠性都有较高要求。SMT4003ALR 凭借低导通电阻和小型封装，在有限空间内承担大电流转换与端口控制任务。能够在大疆充电器中实现多颗应用，也说明中晶新源这款低压 MOSFET 已经具备进入头部消费电子产品供应链的能力，在大功率快充电源中的实际应用价值显著。

中晶新源是国内顶尖晶圆厂【芯联集成】重点投资的强技术导向型功率半导体虚拟 IDM，聚焦最新一代 SGT 技术平台。团队由美国知名功率厂商前总经理及顶尖架构师领衔，具备国际视野与正向自研能力，产品对标欧美一线大厂，公司致力于成为 AI 与新能源领域的核心功率芯片供应商。