三星电子第六代高带宽内存 HBM4 的量产良率已接近 80%，提前约四个月达成年度目标，标志着这家韩国芯片巨头在高端 AI 存储芯片领域的竞争力正快速回升。

据首尔经济日报 8 月 9 日报道，三星电子 HBM4 良率近期已接近 80% 水平。今年 2 月量产初期，该产品良率尚不足 60%，而原定年末目标为 80% ——如今提前半年实现，超出业界预期。在半导体行业，80% 良率被称为 " 黄金良率 "，意味着不良率降至最低，稳定产量与盈利能力同步提升。

良率突破直接推动三星加快供货节奏。三星电子已决定将第三季度 HBM4 销售额环比提升至三倍以上，并计划将下半年整体 HBM 销售额中 HBM4 的占比提高至 60% 以上。与此同时，三星还设定了更长远目标：在年底前将 HBM 市场份额提升至与其 DRAM 市场份额（约 38%）相近的水平。HBM 供应扩大，也将为英伟达 AI 加速器 "Vera Rubin" 的生产提供更充足的存储芯片保障。

良率跃升：六个月完成 " 半年跨越 "

三星电子于今年 2 月率先在全球实现 HBM4 量产出货。然而量产初期，良率不足 60%，制约了供应规模的扩张。

据业内人士透露，随着下半年量产规模持续扩大，工艺改善速度明显加快，最终提前约四个月达到 80% 良率目标。这一进展意味着三星在 HBM4 的生产稳定性上取得了实质性突破。

在半导体行业，良率 80% 被视为关键分水岭。跨越这一门槛后，单位生产成本显著下降，盈利能力大幅提升，企业得以在维持质量的前提下快速放量。

供应提速：三季度销售额目标翻三倍

良率稳定后，三星随即启动供应扩张计划。公司明确表示，将把第三季度 HBM4 销售额提升至上一季度的三倍以上，并将 HBM4 在下半年整体 HBM 销售额中的占比目标设定为 60% 以上。

这一目标的背后，是 HBM 市场持续供不应求的现实。随着 AI 基础设施投资加速，以英伟达为代表的主要客户对高性能存储芯片的需求持续攀升。三星 HBM4 供应量的增加，将直接为英伟达 "Vera Rubin"AI 加速器的生产提供支撑。

市场格局：三星加速追赶，客户分散化需求提供窗口

在 HBM 市场，SK 海力士目前占据主导地位。三星此次良率突破，被视为其重新争夺市场份额的重要契机。

据报道，三星已将年底前 HBM 市场份额目标设定为与其 DRAM 市场份额（约 38%）相近的水平，显示出明确的追赶意图。

祥明大学系统半导体工程系教授이종환（Lee Jong-hwan）表示，对于英伟达等主要客户而言，从多家供应商采购比依赖单一来源更为有利。他认为，三星可以借助 HBM4 放量这一契机，快速扩大市场影响力。

客户端对供应链多元化的内在需求，为三星提供了切入市场的有利窗口。随着 HBM4 良率持续稳定并有望进一步提升，三星在高端 AI 存储芯片领域的竞争地位料将得到实质性改善。