今年 2 月，三星宣布开始量产 HBM4。其结合了 4nm 基础裸片（Base Die），并搭配 1cnm（第六代 10nm 级别）工艺制造 DRAM 芯片，从量产初期就实现了稳定的良品率和行业领先性能，加上抢占了先机，使得的出货量快速上升，量产四个月后收入就已突破 10 亿美元。

据 TrendForce 报道，随着通用 DRAM 价格增速趋于缓慢，存储竞赛正向下一代 HBM 转移，三大原厂开始加大了力度。走在最前的三星也没有放松步伐，HBM4 良品率已经从最初量产时的不到 60% 提升至接近 80%，即便在供应紧张的大环境里，工艺技术也在快速改进。传闻三星最初设定在 2026 年末达到 80% 的良品率目标，显然现在已经提前实现。

有报告指出，三星在 TC-NCF 工艺方面有了显著进步，长期以来这一直被视为 HBM 生产中的薄弱环节。另外一个关键驱动因素的 1cnm 工艺制造 DRAM 芯片，今年初三星已经将其良品率推高至 80%，为 HBM4 奠定了稳定的生产基础，从而推动了 HBM4 良品率的拉升。

TrendForce 预计三星今年的 HBM4 市场份额将大幅攀升，年末将达到 38%，主要得益于其在客户资格上的领先及更高的出货预期。SK 海力士因资格审核延迟及产能调整而被削减了份额，美光则受限于有限的供应。除了英伟达外，AMD 等也打算从三星采购 HBM4，避免过度依赖单一供应商。

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