【CNMO 科技消息】三星电子已正式敲定其下一代光刻技术的导入时间表。8 月 11 日，据韩媒报道，三星电子 Park Chang-min Master 在 "2026 下一代光刻 + 图案化学术大会 " 上表示，公司计划从1 纳米（A10）制程开始，正式将高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻技术应用于量产，预计2030 年左右实现商用化，目前正集中力量推进技术开发。

ASML 的 EUV 光刻设备概念图

技术路线：1 纳米为 High-NA EUV 起点

三星自 8 纳米以下先进制程起便已将 EUV 技术应用于量产。EUV 的光波长为 13.5 纳米，仅为现有氟化氩（ArF）光源的约十三分之一，可在更少次数的图案化步骤中实现超微细电路。

High-NA EUV 通过将透镜数值孔径从 0.33 提升至 0.55，可提高分辨率，实现更精细的电路图案。应用该技术后，原本需要多次图案化的超微细工艺可通过单次图案化完成，有利于降低制造成本、提升生产效率，同时使电路设计更加灵活。

三星原计划在 2 纳米或 1.4 纳米节点引入 High-NA EUV，但 Park Chang-min Master 表示："2 纳米、1.4 纳米等节点虽然有意引入，但目前仍需要技术层面的进一步完善 "，因此将导入节点调整至1 纳米（A10）及以下制程。

三星电子半导体研究所 Foundry 工艺开发团队 Master 朴昌民

技术挑战：高成本与材料配套难题

High-NA EUV 面临多重技术障碍。该设备造价极为昂贵，同时对光罩、防护薄膜等相关材料技术也提出了更高的要求。业界预计，未来先进制程中将混合使用现有 EUV 多次图案化与 High-NA EUV 单次图案化两种方案。

Park Chang-min Master 预计：" 到 1.4 纳米及 1 纳米制程为止，0.33 NA EUV 多次图案化仍将是主流技术路线。在此之后的下一代制程，High-NA 图案化将成为主流 "。

量产时间表：2030 年目标锁定

三星目前已完成 2 纳米制程的量产，计划于2029 年实现 1.4 纳米制程量产，并于2030 年推出 1.4 纳米的改进版本（SF1.4+）及 1 纳米制程。这一路线图与 High-NA EUV 的量产导入时间高度吻合。