【CNMO 科技消息】8 月 11 日，据媒体报道，韩国存储两大巨头三星和海力士正共同推进 EUV 光刻工艺的研发，其目的为确保下一代 DRAM 实现量产。

三星（左） SK 海力士（右）

据悉，在近日举行的 " 下一代光刻 + 图案化 " 会议（NGL 2026）上，SK 海力士副总裁表示：" 正在考虑多重曝光 EUV 或引入高数值孔径（High-NA）单次曝光技术，以大规模生产极致微工艺。" 并补充到，随着今年全面启动相关技术的研发，公司已开始全面引入 PSM 等新型材料，以期提升 EUV 光刻性能。PSM 能同时控制光强与光相位，通过相消干涉压制衍射伪影，从而释放 High-NA EUV 的理论分辨率。

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CNMO 科技了解到，SK 海力士正与韩国本土企业东进世美肯（Dongjin Semichem）联合开发高性能 EUV 光刻胶，重点提升光敏性以缩短曝光时间、提高晶圆吞吐量，旨在减少对日本供应商的依赖。

此前，三星已在华城园区引入首台 High-NA EUV 光刻机（ASML Twinscan EXE:5000），用于技术研发。公司正计划引入更多该型设备，以在 2nm 乃至更先进制程中提升良率与性能。三星还表示正在与各合作伙伴开展联合研发。

SK 海力士 DRAM 工厂

目前，三星已完成 2nm 制程量产，并计划于 2029 年量产 1.4nm 制程，于 2030 年推出 1.4nm 改进版（SF1.4+）及 1nm 制程，与 High-NA EUV 导入时间高度吻合。