【三星电子计划在 1nm 级制程节点实现 High NA EUV 商业应用】《科创板日报》12 日讯，三星电子计划在 1nm 级工艺制程节点实现 High NA EUV 设备的商业化应用。三星电子晶圆代工工艺开发团队朴昌民表示，对于 2nm 的 SF2 和 1.4nm 的 SF1.4 两个近期节点来说，High NA EUV 光刻图案化技术仍不算成熟。而更高的图案化分辨率将在 1nm 级成为刚需，因此三星晶圆代工正以此为目标与合作伙伴联合研发。考虑到三星晶圆代工此前将 2029 年设定为 SF1.4 的量产时点并计划在 2030 年推出改进型 SF1.4+，其 1nm 节点最快也要到 2030 年才会推出。（ZDNET Korea）