截至 9:40，同指数费率最低标的科创芯片 ETF（588290）跟踪指数下跌 1.57%。相关个股中，荆拓科技上涨 3.53%，富创精密上涨 1.2%，中微公司上涨 1.19%。

消息面上，SK 海力士正在为其下一代 HBM 解决方案引入包括英特尔 EMIB 在内的先进封装技术，并计划最终迈入 3D 封装时代。在 2026 年的 Hot Chips 大会上，SK 海力士封装工程副总裁 Jaesik Lee 发表了题为 " 高带宽内存的先进封装 " 的报告，详细阐述了公司将如何利用先进封装技术加速其 HBM 产品路线图，目前 SK 海力士正在探索混合键合（Hybrid Bonding）等方法，以突破 16 层堆叠的限制，未来，SK 海力士还计划通过增加 TSV 数量、提高逻辑工艺集成的 IO 速度，以及优化电源分配网络（PDN）来解决功耗挑战。

相关研究机构表示，在华为韬定律推动下，芯片产业通过技术创新有望实现性能突破，为先进封装企业带来机遇。AI 算力建设方兴未艾，带动 PCB、存储等高景气赛道需求旺盛，形成产业链协同发展格局，先进封装、AI 芯片及高带宽内存领域有望实现技术突破。（风险提示：以上信息仅供参考，不构成投资建议。入市有风险，投资需谨慎。）

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