钛媒体快报 2小时前
三星制定“三阶段HBM路线图”:迈向真正的3D ZHBM,将DRAM直接堆叠在计算芯片上
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钛媒体 App 8 月 24 日,近日,在 Hot Chips 技术大会上,三星 DRAM 设计团队的 Sangwook Han 发表演讲,正式披露三星 HBM 演进的三阶段路线图。这一路线图的终点,是一种名为 zHBM 的全新架构——将 DRAM 直接垂直堆叠在 GPU、TPU 等计算芯片之上,彻底取消 2.5D 中介层(interposer)。据报道,三星方面表示,相较于标准 HBM4E,zHBM 方案宣称可实现 70% 的功耗降低、230% 的 DRAM 带宽提升,以及每个 DRAM 模组节省 100W 功耗,同时为 GPU 释放 8.3% 的额外功率空间。(华尔街见闻)

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