【CNMO 科技消息】8 月 24 日，据韩媒报道，韩国存储芯片巨头三星与 SK 海力士正计划在明年年底前，积极推进其在中国 NAND 闪存量产基地的设备投资与产线升级工作，以应对人工智能服务器等领域对尖端存储芯片激增的市场需求。

三星 V9 型 NAND 闪存

据报道，三星电子自今年上半年起，已在中国西安 X2 产线启动 V9 型 NAND 闪存的转型投资。该芯片采用 280 层堆叠式单元结构，属于目前业界的尖端存储产品，预计月产能规模可达 4 万至 5 万片晶圆。近期三星已正式敲定补充投资计划，重点追加采购制造超高层 NAND 闪存所必需的核心刻蚀设备，相关设备采购订单预计将在今年年底前后最终确定。

三星和 SK 海力士

蚀刻工艺是一种在刻有半导体电路的晶圆上去除特定材料的制造工序，需要在晶圆结构上精准钻出极深的电荷传输通道孔。业内人士透露，三星计划于今年和明年分阶段推进在华高端闪存产能的扩张，从明年下半年开始进行针对性补充投资，以确保 V9 NAND 的稳定量产。

CNMO 科技了解到，SK 海力士也从今年第三季度开始，针对大连第二工厂推进 NAND 闪存产品升级所需的设备投资。相关消息显示，包括刻蚀机在内的核心制造设备预计将于下月开始进场安装，SK 海力士计划在大连工厂持续推进设备调试与建设，目标是在明年上半年逐步实现每月 3 万片晶圆的产能规模。