【CNMO 科技消息】8 月 25 日，据韩媒报道，在此前举行的 "Hot Chips 2026" 前沿计算架构大会上，三星与 SK 海力士分别公布了下一代高带宽内存（HBM）的技术路线图。随着人工智能算力对数据吞吐与能效要求的持续攀升，两家存储巨头在下一代 HBM 的布局上展现出差异化的突破方向，分别聚焦于基底芯片（Base Die）架构革新与超高层先进封装。

三星（左） SK 海力士（右）

三星将重心放在了基础底模的功能拓展上。三星计划将原本由 GPU 承担的内存控制器等部分功能迁移至 HBM 基底芯片，以此释放 GPU 芯片面积用于扩充计算核心，预计可实现 10% 至 20% 的性能提升。同时，三星提出了可在基底芯片直接处理部分 AI 运算的 "aHBM" 方案，以大幅减少芯片间的数据搬运和功耗开销。在长远规划中，三星还展示了 GPU 与 DRAM 垂直三维互联的 "zHBM" 构想，预计相比 HBM5 可降低约 70% 的 DRAM 功耗，传输速率提升 2.3 倍。

zHBM

SK 海力士则围绕超高层堆叠与散热封装展开技术攻坚。SK 海力士在会上明确宣布，适配英伟达下一代 AI 加速器 "Vera Rubin" 的 12 层堆叠 HBM4 产品目前已处于量产阶段，16 层堆叠规格也已正式进入客户验证环节。面向未来 20 层以上的超高堆叠需求，SK 海力士提出了混合键合（Hybrid Bonding）工艺，该技术通过取消传统凸块和填充材料，实现芯片直接连接，从而缩小芯片间距。对于发热过高的问题，其还公布了内置专属导热通道的 "iHBM" 散热方案，可将热阻降低 30% 以上。