快科技 8 月 27 日消息，英特尔在近日举行的 Hot Chips 大会上详细披露了 Intel 18A-P 工艺的最新进展，其实测数据表现惊人，尤其在低电压环境下实现了 30% 的频率飞跃。

根据英特尔与研究机构 Futurum Research 公布的实测数据，在已进入生产阶段的 x86 芯片上，该工艺在 0.5V 的超低电压环境下，主频相较于传统 FinFET 架构直接提升了 30%。

Intel 18A-P 并非现有 18A 工艺的小修小补，而是深度整合了 RibbonFET 全环绕栅极晶体管与 PowerVia 背面供电技术。

简单来说，RibbonFET 是一种全环绕栅极架构，它通过四面包裹通道来精准控制电流，能有效解决微米级制程下的漏电问题。

而 PowerVia 背面供电技术则是将电源线从芯片正面移至背面，彻底消除了信号线与电源线混杂带来的压降损失。

这两项技术的合力，使得芯片无论是在极致节能的移动端，还是在追求极限性能的服务器端，体质都得到了显著升级。

除了底层架构的变革，Intel 18A-P 还引入了名为 Power Boost 的全新双接触架构设计，该设计通过超低电阻接点大幅拉高了驱动电流，在维持相同电容负载的前提下，让元件的运算速度提升了约 10%。

此外英特尔还在芯片金属层中额外增加了两层顶部粗金属层，这一改动缓解了布线拥挤并降低了互连延迟，换取了额外 2% 至 3% 的频率增益。

在散热方面，英特尔通过改进晶圆键合层的导热材料，使整体堆叠热阻成功降低了 20% 至 40%。这意味着处理器在高负载持续运送时，能拥有更多的温度余裕。

目前该工艺的首批主力产品已经确定，分别是针对服务器市场的 Diamond Rapids 以及针对消费级市场的 Nova Lake 处理器，预计将于明年正式投放市场展开正面竞争。