IT 之家 8 月 27 日消息，英特尔首席财务官 David Zinsner 在德意志银行 2026 年技术大会上表示，即将推出的 Intel 14A 制程工艺拥有自 22nm 节点以来最佳的 " 缺陷密度曲线 "（defect density curve）。

22nm 是英特尔首个引入 FinFET 晶体管的工艺节点，以 Ivy Bridge 架构闻名。将 14A 与 22nm 对比，一定程度上也反映出英特尔近年来在先进制程推进上的坎坷：14nm 首发时表现不佳，10nm 则遭遇严重挫折。但鉴于 22nm 节点初期同样问题不断 —— 有英特尔员工事后透露，首批 Ivy Bridge 芯片良率一度为 0。

英特尔已多次更新 14A 的时间规划。2026 年 5 月，CEO 陈立武给出的路线图是 2028 年风险试产、2029 年量产。但在 7 月的财报会议上，时间表被提前一年：2027 年下半年开启风险试产，2028 年全面大规模量产。

陈立武强调，14A 在缺陷密度和晶体管性能两项关键指标上均已超越 18A 同期表现。14A 的 0.5 版本 PDK（IT 之家注：工艺设计套件）已向客户开放，0.9 版本 PDK 预计于 2026 年 10 月发布。

在技术规格上，14A 将采用第二代 RibbonFET 环绕栅极晶体管、PowerDirect 新一代背部供电技术，以及 ASML High-NA EUV 极紫外光刻设备。

在先进封装领域，英特尔的 EMIB-T 技术预计 2027 年实现大规模量产。EMIB 通过在有机基板中集成小型硅桥实现高密度互连。EMIB-T 集成了硅通孔结构，使 ASIC 芯片可直接从基板获取电源，支持单一封装内数千瓦级功耗的高性能计算。

博通与 Meta 等头部客户正在评估将部分原定采用台积电 CoWoS 方案的项目迁移至 EMIB 平台。此外，英特尔已为谷歌 2027 年 AI 芯片提供 EMIB-T 封装技术验证，良率达 90%。据称 EMIB-T 相较 CoWoS 方案在封装环节的成本差距最高可达 50%。

为支撑代工业务，英特尔正加速推进工厂建设。亚利桑那州的 Fab 62 和 Fab 52 已准备就绪，即将开始设备安装。俄勒冈州的研发晶圆厂将负责 14A 工艺的试产及后续量产。此外，至关重要的俄亥俄州工厂一期项目正全力建设，预计将直接承担 14A 的量产任务。

英特尔预计，14A 和 EMIB-T 等先进技术将从 2027 年底开始为 Intel Foundry 打开市场，实质性的营收贡献将在 2028 年和 2029 年显现。