在德意志银行 2026 年科技大会上，英特尔 CFO David Zinsner 给出了一句值得半导体圈反复咀嚼的表态—— Intel 14A（1.4 纳米级）制程的缺陷密度下降速度超出公司预期，创下 22 纳米以来最佳表现。

他原话是：" 自 22nm 以来从未见过这样的表现 "。

对于 22nm，他补充了一句，可以说是英特尔推出过的最好制程之一。

英特尔也在传递一个明显的信号——它正在找回 " 曾经领先对手两年 " 的节奏。

自 22nm 以来从未见过如此表现

英特尔首席财务官 David Zinsner 在德意志银行 2026 年科技大会上表示，Intel 14A（1.4 纳米级）制程的缺陷密度下降速度超出公司预期，也创下了 22 纳米以来最佳表现。

" 自 22nm 以来从未见过这样的表现。"Zinsner 在大会上直言

22nm，英特尔首个采用 FinFET 晶体管的工艺节点，于 2011 年试产、2012 年量产，是英特尔制造霸权时代的标志。

" 从缺陷密度来看，14A 的追踪比我们对 14A 的目标曲线更好。"

它在摧毁缺陷的速度上也比之前的任何节点都好。

事实上，自 22 纳米以来都未见过这样的性能，而 22nm 可以说是英特尔推出过的最佳节点之一。

英特尔计划于 2027 年下半年开始以 14A 制造工艺进行自有产品的风险生产，并于 2028 年启动大规模生产。

因此，英特尔首席财务官在大会上表示，在 14A 开发的目前阶段，其缺陷减少轨迹至少与公司在 2010 年同期极为成功的 22nm 工艺发展轨迹一样健康。

不过，这种表达有几个问题。

首先，14A 的缺陷密度现在不一定等同于距离量产两年后的 22nm 的缺陷密度。

其次，由于晶圆处理和检测设备的进步，英特尔现在所认为的缺陷，可能与 16 年前的缺陷不同。

此外，缺陷密度本身并不直接等于产物屈服率。

22nm 时代的英特尔有多牛

22nm 时代的英特尔，是这家公司制造霸权最干净、最没有争议的一段时期。

一句话概括：那时候的英特尔不是 " 领先半个身位 "，而是在晶体管结构上把整个行业甩开了整整一代。

2011 年，英特尔宣布将 Tri-Gate（三栅 / 三面栅）晶体管导入 22nm 量产技术，并称这是生产技术中首次使用 3D 晶体管。

2011 年末至 2012 年初，英特尔开始量产基于 22 纳米工艺的 Ivy Bridge 处理器，并于 2012 年 4 月下旬正式上市。

这也是全球第一个在消费级产品里大规模量产的 3D 晶体管工艺。

现在随着 GAAFET 时代的到来，英特尔也领先一步量产基于 GAAFET 的 18A，现在的 14A 也将采用第二代的 RibbonFET 和第二代背面供电技术，同时使用高数值孔径 ( High-NA ) EUV 光刻技术。

整体来看，现在 GAAFET 时代的难度会高很多。

尽管如此，英特尔也表态，14A 的缺陷密度降低工作，在正是量产前就取得了异常良好的进展，这肯定是非常积极的好消息。