截至 8 月 31 日 13 时 24 分，科创芯片板块震荡上涨。同指数费率最低标的科创芯片 ETF（588290）跟踪指数下跌 0.53%。相关个股方面， 睿创微纳上涨 10.25%，乐鑫科技上涨 6.47%，复旦微电上涨 5.47%，艾为电子上涨 5.15%。

消息面上，8 月 31 日，三星电子应英伟达要求研发 8 层第七代 HBM4E，摒弃原先规划的 12 层、16 层方案，降低堆叠高度。英伟达设定目标速度 17 ‑ 18Gbps，相比三星早期 HBM4E 样品 14.4Gbps 提升约 20%，这款定制存储产品将供给英伟达 NVHBM 平台。NVHBM 把内存控制器移入 HBM 基片，相比标准 HBM4E 带宽提升、功耗下降，主要配套下一代 Rubin Ultra AI GPU。

相关研究机构表示，存储行业供需紧张格局持续，AI 需求增长推动行业上行，长期协议签订有助于稳定利润率并降低周期性影响，国产替代空间广阔；AI 算力硬件需求强劲，带动 HDI、高多层 PCB 及光模块市场爆发增长，产业链产能不足，下半年业绩有望加速提升。（风险提示：以上信息仅供参考，不构成投资建议。入市有风险，投资需谨慎。）

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