来源：环球市场播报

三星电子正在开发一款符合英伟达要求的 8 层 HBM4E 产品，力求在其定制化高带宽内存 NVHBM 的供应中争取关键角色。该产品将堆叠高度从最初规划的 12 层和 16 层版本降低，而英伟达的目标速度规格为 17-18Gbps，比三星最初 HBM4E 样品 14.4Gbps 的速度高出约 20%。

据 ChainCatcher 报道，8 层设计专为英伟达公开的 NVLink 优化型 NVHBM 而打造，此举被视为一种降低制造难度和良率压力的方式，相比传统上通过增加堆叠层数来提升容量的做法更为可行。同时，这也被视为英伟达应对内存短缺策略的一部分。

NVHBM 预计将用于英伟达下一代 AI GPU Rubin Ultra，该产品计划于明年推出，届时 GPU 间互联数量将从最多 72 路扩展至 576 路。业内消息人士称，三星已在 HBM4 验证中展示了业内最高速度水平，可能在速度竞争中占据优势。

在定制化 HBM 市场中，三星被认为比 SK 海力士和美光更具竞争力，因为 NVHBM 同时需要 DRAM 和基于逻辑芯片的基础裸片（base die）生产能力，而三星能够以一体化方式提供这些能力。