快科技 8 月 31 日消息，据媒体报道，三星电子已成功拿下英伟达下一代定制高带宽内存（NVHBM）的主供应商地位，正在为其开发一款专属 HBM 产品。

该方案采用 8 层低堆叠设计，同时支持 17~18Gbps 高引脚速率，优先满足英伟达对处理速度的极致追求，而非传统的垂直堆叠层数扩展。较三星初期 HBM4E 14.4Gbps 的样品速度高出约 20%，该产品据悉将用于 NVHBM。 

与标准 HBM4E 相比，NVHBM 在架构层面实现了关键突破——将内存控制器从 GPU 计算 die 移至 HBM 基础 die（Base Die）内。这一调整不仅使带宽提升 30%、功耗降低 15%，还为计算 die 释放出最多 25% 的面积，为未来 GPU 性能提升预留了更大空间。

据 TrendForce 最新报告，由于 DRAM 供需失衡预计持续至 2027 年，叠加原生 HBM4E 验证进度存在不确定性，英伟达已对 Rubin Ultra 的 HBM 配置策略进行调整。

原计划统一采用 HBM4E 12 层方案，现改为同步评估 HBM4E 8 层、HBM4 12 层及 HBM4 8 层三种方案，最终规格将在 2026 年下半年验证后确定。同时，单颗 GPU 的 HBM 堆叠数量从 4 颗减至 2 颗，对应功耗亦同步下调。

这一调整表明，HBM4E 12 层方案的技术挑战与成本压力已超出预期，高性能存储路线图正从激进推进转向务实优化阶段。