快科技 9 月 1 日消息，英伟达近日在 Hot Chips 2026 上正式发布了 NVHBM 定制高带宽内存技术。这项技术将内存控制器从 XPU 主芯片转移到 HBM 堆栈底部的基片（Base Die）中。

看似只是 " 搬家 "，背后却是一场针对三星、SK 海力士、美光三大内存巨头价值链的精准狙击。有分析指出，HBM 基片的制造成本是普通 DRAM 核心的 3 到 4 倍，而 NVHBM 正是英伟达攫取这部分价值的关键一招。

传统 HBM 中，基片仅负责高速接口连接，内存控制器占据 XPU 主芯片宝贵的计算面积。NVHBM 将控制器集成进基片后，主芯片可释放高达 25% 的面积用于计算单元。单堆栈带宽比标准 HBM4E 提升 30%，功耗降低 15%，PHY 和支持面积缩小 67%。

但更关键的变化在于价值链的重新分配。传统架构下，三大厂凭借基片和 DRAM 核心的整合供应掌握议价权。NVHBM 打破了这一格局，英伟达自行设计基片中的控制器与接口，三大厂仅按规格制造。定价权从内存供应商转移到了控制器的设计者手中。

亚马逊旗下 Annapurna Labs 已率先采用 NVHBM，用于 Trainium4 AI 芯片。联发科在五天之内便采纳了 NVLink Fusion 方案，并获得英伟达 35 亿美元资金支持。

需要提醒的是，HBM4E 尚未正式出货，NVHBM 对标的是一个还未量产的基准，实测性能有待验证。

但英伟达的目标很清晰：通过掌控基片层，在客户不打算自研计算 Die（芯片裸片）的前提下，将内存子系统的价值锁定在自己手中。三大厂仍在生产 DRAM 核心，但最赚钱的那一层，已归英伟达所有。