【CNMO 科技消息】9 月 1 日，据韩媒报道，三星在 "Semicon Taiwan 2026" 大会上公布面向下一代存储技术的 "CUBE" 战略，计划通过 3D 垂直堆叠技术突破传统内存架构限制，进一步提升存储容量、带宽以及能效表现，为 AI 时代的数据处理需求提供支持。

三星

在大会主题演讲中，三星详细介绍了 "CUBE" 战略的核心方向。其中，CUBE 分别代表 Capacity（容量）、Utilization（利用率）、Bandwidth（带宽）以及 Efficiency（能效），三星希望通过这四个方向推动存储技术持续升级。

三星表示，3D 堆叠并不只是简单地将芯片叠放在一起，更重要的是优化每一层之间的功能分配和布局。通过缩短芯片之间的距离，形成高速数据通路，可以进一步提升带宽表现，同时改善单位功耗下的性能表现。

目前，三星已经在高带宽存储（HBM）领域持续推进 3D 封装技术。从 HBM2 到 HBM4E、HBM5，三星不断提升产品容量、带宽、电源效率以及散热管理能力，以满足 AI 服务器不断增长的算力需求。

其中，三星从 HBM2 到 HBM4E、HBM5 持续迭代，世代性地提升容量、带宽、功耗效率和散热管理技术。其中 HBM5 的目标是实现相比 HBM4E 性能提升 2 倍、每瓦性能提升 20%、热阻降低 20%。

zNAND-O

面向更长远的技术规划，三星还披露了 zHBM 和 zNAND-O 的路线图。zHBM 相比 HBM4E 目标实现性能提升 8 倍、每瓦性能提升 3 倍、热阻降低 75% 至 90%，被视为在性能和效率层面超越现有极限的革新性产品。zNAND-O 则提供比 DRAM 高 10 倍的比特密度以支持大语言模型所需的大规模容量，同时提供比 NAND 高 7 倍的读取带宽和功耗效率，计划于 2028 年开始提供样品。