来源：环球市场播报

三星电子计划将下一代高带宽存储器（HBM）HBM5 的性能提升至 HBM4E 的 2 倍，而后续一代产品 zHBM 的性能目标则达到 HBM4E 的 8 倍。三星将以 3D 结构创新为核心，争夺下一代存储器市场的主导权。

三星电子 DS 部门存储器事业部产品企划团队负责人崔长锡 1 日公布了三星下一代存储器战略。

三星电子目前正在开发 HBM5，目标是相比 HBM4E 将性能提升 2 倍、每瓦性能提升 20%，同时将热阻降低 20%，以满足 AI 芯片对高性能和低功耗的需求。

面向 HBM5 之后的 zHBM，三星计划进一步提升性能。三星提出的目标是，zHBM 相比 HBM4E 性能提升 8 倍、每瓦性能提升 3 倍，同时将热阻降低 75% 至 90%。

针对大语言模型（LLM）所需的大容量存储器需求，三星还在推进 zNAND-O 的开发。zNAND-O 的目标是在比特密度达到 DRAM 10 倍的同时，将读取带宽和能效分别提升至 NAND 的 7 倍。三星计划于 2028 年开始 zNAND-O 的样品供应。

三星电子将上述下一代存储器技术开发方向具体概括为 "CUBE" 战略。

CUBE 分别代表 Capacity（容量）、Utilization（利用率 / 优化）、Bandwidth（带宽）和 Efficiency（功耗与热效率）。其核心并非单纯进行存储器垂直堆叠，而是利用 3D 结构，同时提升容量、带宽以及功耗和热效率。

三星电子计划从通用 DRAM、NAND，到 HBM、企业级 SSD，再到下一代 zHBM 和 zNAND-O，扩大产品阵容，进一步强化其在 AI 存储器市场的主导地位。

崔长锡表示："3D 技术的最终目标，是降低移动单个比特数据所需的能量。" 他强调，三星正在通过提高结构效率，最大限度提升每瓦性能。

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