【三星公布下一代存储器战略：HBM5 性能目标提升至 HBM4E 两倍】《科创板日报》1 日讯，三星电子计划将下一代高带宽存储器（HBM）HBM5 的性能提升至 HBM4E 的 2 倍，而后续一代产品 zHBM 的性能目标则达到 HBM4E 的 8 倍。三星将以 3D 结构创新为核心，争夺下一代存储器市场的主导权。针对大语言模型（LLM）所需的大容量存储器需求，三星还在推进 zNAND-O 的开发。zNAND-O 的目标是在比特密度达到 DRAM 10 倍的同时，将读取带宽和能效分别提升至 NAND 的 7 倍。三星计划于 2028 年开始 zNAND-O 的样品供应。