IT之家 2小时前
消息称三星已锁定约70%存储芯片产能至2031年
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IT 之家 9 月 1 日消息,随着人工智能基础设施建设持续推动高带宽内存(HBM)需求增长,据韩国媒体最新报道,三星已经通过长期供应协议(LTA)锁定了约 70% 的内存产能。

这些长期协议能够让三星客户获得远低于现货市场的价格。据报道,HBM 现货价格最高可达到长期协议价格的 5 倍。

SEDaily 报道称,HBM 需求持续飙升,已经导致 DRAM 市场供应趋紧。

HBM 可以理解为将多层 DRAM 芯片进行堆叠封装而成的高性能内存。随着内存厂商开始向 HBM4 过渡,DRAM 市场面临的供应压力也进一步加大。

报道称,与此前的 HBM 产品相比,新一代 HBM4 单个模块使用的 DRAM 堆叠层数更多,因此会占用更多 DRAM 产能,并进一步减少可用于其他用途的 DRAM 供应量。

受此影响,韩国两大存储芯片厂商三星和 SK 海力士已经开始考虑进一步扩大内存产能。

具体来看,三星正在考虑将其位于平泽园区的 S5 晶圆厂改造为内存制造工厂;而 SK 海力士则有意与一家日本企业合作,共同建设一家合资工厂。

更值得关注的是,该报道称,三星已经将高达 70% 的内存产能预留给长期供应协议,以满足最远持续至 2031 年的内存芯片供应合同。

长期供应协议(LTA)是近年来存储芯片市场出现的一种新模式。分析人士认为,这类协议能够让厂商提前锁定需求,提高市场需求的可预测性,从而在一定程度上削弱存储芯片行业传统的周期性波动。

据报道,微软、英伟达和谷歌均是三星长期供应协议的客户。

此外,长期协议价格与现货价格之间存在明显差距。

报道称,一颗 36GB HBM3E 模组目前的现货价格约为 287 万韩元(IT 之家注:现汇率约合 14,031 元人民币),而长期供应协议中,同类产品的价格仅为 50 万至 70 万韩元(现汇率约合 2,445 至 3,422 元人民币)。

对于采用 16 层 DRAM 堆叠的 HBM4 产品,价格还会进一步上涨,单个模组的价格约为 480 万韩元(现汇率约合 23,467 元人民币)。

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