在 AI 算力需求持续重塑半导体供应链格局的当下，存储巨头正通过激进的原材料囤积策略，试图在下一轮产能扩张与成本博弈中抢占先机。

9 月 1 日，据 DIGITIMES 报道，SK 海力士 2026 年第二季度硅晶圆采购金额环比暴增 104%，采购力度显著超越竞争对手三星电子。这一翻倍式的采购增量，直指上游硅晶圆涨价预期与 AI 存储芯片的备料压力。

此举不仅凸显了 SK 海力士在高带宽内存（HBM）及先进 DRAM 赛道上的激进扩张意图，更向市场释放出强烈信号：AI 驱动的存储超级周期正将成本压力向上游核心材料端传导，基础耗材的供需紧平衡将成为影响半导体企业利润率的关键变量。

采购翻倍背后的 " 抢粮 " 逻辑与涨价防御

受 AI 需求持续高涨及晶圆涨价预期影响，SK 海力士大幅加大了硅晶圆采购力度。

在半导体制造成本中，硅晶圆占据核心比重，此次采购金额的翻倍，本质上是 SK 海力士为应对未来晶圆涨价压力而采取的提前卡位策略。

通过大规模锁定上游原料，SK 海力士旨在平抑未来潜在的采购成本波动。值得注意的是，其采购力度显著高于同期的三星电子。

这一差异反映出两家公司在 AI 存储赛道上的战略分歧：SK 海力士正以更为激进的备料策略，确保其在 HBM 及先进制程 DRAM 市场的产能释放不受原材料短缺的掣肘，从而巩固其在 AI 供应链中的先发优势与交付确定性。

产能狂飙与 AI 存储超级周期的共振

SK 海力士在原材料端的激进 " 囤粮 "，是其整体产能扩张与技术迭代战略的缩影。

为支持下一代 HBM4 的生产，SK 海力士已将 1C DRAM 的扩产计划上调至原目标的近两倍，2027 年第一季度末的月产量目标提升至 17 万至 20 万片。

同时，公司计划投资 40 亿美元在美国印第安纳州建设下一代 HBM 封装工厂，以进一步扩充先进内存产能。

在技术突破方面，SK 海力士已成功开发 1c 制程 16GB LPDDR6 芯片，数据处理速度与能效均获显著提升；并完成了 375 层 NAND 闪存的量产验证，首次在字线金属栅极中引入钼材料替代传统的钨，计划年底前量产。

2026 年第一季度，SK 海力士实现营收 52.58 万亿韩元，同比增长 298%；营业利润达 37.61 万亿韩元，净利润率超过 70%，DRAM 与 NAND 均价均创单季历史峰值。强劲的现金流为其提前锁定硅晶圆等核心原料提供了充足的弹药。

成本传导加速：上游供应链的定价权重塑

SK 海力士的备料动作不仅影响硅晶圆市场，更折射出整个半导体上游供应链定价权的重塑。在积极采购原材料的同时，SK 海力士在设备采购端也展现出对成本上升的妥协。

近期，SK 海力士打破了行业惯例，向核心设备供应商开放价格调整窗口，默许部分一级供应商提价 3% 至 4%，终结了过去五年设备供应商持续降价的局面。

此外，在评估 375 层 NAND 的钼制程设备时，SK 海力士最终选择了东京电子的炉式设备，以替代泛林集团的单片晶圆处理设备，显示出对特定工艺设备的高度依赖。

从硅晶圆材料的翻倍采购，到默许核心设备涨价，SK 海力士的举措表明，在 AI 驱动的产能军备竞赛中，存储巨头对上游供应链的依赖度正在加深。

对于投资者而言，这意味着半导体资本支出的红利正加速向硅晶圆制造商及核心设备供应商传导，上游材料与设备环节的业绩弹性与提价能力将成为未来市场定价的重要锚点。