快科技 9 月 2 日消息，在 SEMICON Taiwan 2026 展前峰会 "Memory Executive Summit" 上，三星正式公布了新一代 3D 存储器战略框架—— CUBE，并同步展示了 HBM5、zHBM 及 zNAND-O 的技术路线图。这一系列布局标志着三星正以架构级创新为核心，全面争夺 AI 时代的存储器市场主导权。

CUBE 是三星下一代 3D 内存战略的核心框架，四个字母分别代表：Capacity（容量）、Utilization（利用率）、Bandwidth（带宽）、Efficiency（能效）。

这四大指标精准对应了 AI 时代存储器所面临的四大核心矛盾：如何在有限空间内提升容量、提高利用效率、扩展带宽，同时降低功耗。CUBE 战略的提出，意味着三星正从单纯追求性能参数，转向系统级的协同优化思路。

作为传统 HBM 路线的延续，三星计划将下一代 HBM5 的性能提升至 HBM4E 的 2 倍，同时每瓦性能提高 20%，热阻降低 20%。这一升级路径保持了对现有架构的兼容性，重点在于提升数据传输效率与能效比，以满足大模型训练对内存带宽的持续渴求。

如果说 HBM5 是 HBM 路线的延续，那么 zHBM 则可能代表一次架构级跃迁。传统 HBM 与 GPU 并列放置，通过先进封装实现高速互联；而 zHBM 则尝试将 HBM 直接堆叠在 GPU 上方，从根本上改变信号传输路径与散热结构。

三星为 zHBM 设定的性能目标极具挑战性：性能达到 HBM4E 的约 8 倍，每瓦性能达 HBM4E 的约 3 倍，热阻降低 75% – 90%

这一路线若能顺利落地，将极大缓解 AI 加速器在带宽、功耗和散热方面的三重瓶颈，为超大规模模型训练提供全新的内存架构底座。

针对大语言模型（LLM）对超大规模存储的刚性需求，三星同步推进 zNAND-O 的开发。该技术旨在实现比特密度达到 DRAM 的 10 倍，同时将读取带宽和能效分别提升至传统 NAND 的 7 倍。

三星计划于 2028 年启动 zNAND-O 样品供应，为未来 AI 数据中心提供更高密度、更高效能的存储选择。