在台北举行的内存高管峰会上，三星电子首次披露 HBM5 具体性能目标，旨在实现整体能力较当前 HBM4E 代翻倍。同时，三星正式发布 "CUBE" 架构战略，明确其未来三款产品针对截然不同的细分市场，而非同一层级的迭代。随着 HBM4 良率提前四个月达到 80%，这一路线图的可信度显著增强，为 2028 年的量产时间表提供了坚实依据。

CUBE 架构：从孤立优化到垂直整合

CUBE 代表容量（Capacity）、利用率（Utilization）、带宽（Bandwidth）和效率（Efficiency）。三星内存产品规划团队负责人崔昌锡指出，该框架标志着研发范式的转变：从孤立优化单一维度，转向将堆叠芯片的每一垂直层视为系统每瓦特性能贡献的一部分。

" 我们不再受限于印刷电路板面积，" 崔昌锡表示，" 通过垂直扩展，可在不增加占地情况下提升内存容量。" 实现这一目标的核心在于硅通孔（TSV）技术，它将数据传输距离从厘米级压缩至数十微米，从而显著降低比特传输能耗。

三星强调，CUBE 旗下产品定位清晰：HBM5 和 zHBM 面向服务器端 AI 加速器，而 zNAND-O 则专攻设备端应用，三者互不重叠。

HBM5：目标 7TB/s 带宽，2028 年量产

作为 HBM4E 的继任者，HBM5 的开发正在推进中。HBM4E 首批 12 层样品已于 2026 年 5 月交付主要客户，其在 12 层堆叠配置下运行速度为 16Gbps，确认带宽为每堆栈 3.6TB/s。

三星为 HBM5 设定了以下目标：

整体性能约为 HBM4E 的两倍

每瓦特性能提升 20%

热阻降低 20%

若以 HBM4E 的 3.6TB/s 为基准，整体性能翻倍意味着 HBM5 每堆栈运行速度将超过 7TB/s。尽管行业惯例预测 2028 年投产时带宽约为 4TB/s，但三星的 " 整体性能 " 指标涵盖了容量、效率和延迟等多维提升。鉴于大语言模型推理受限于内存带宽而非计算能力，这一提升对解决算力闲置至关重要。

在工程实现上，HBM5 采用两项关键改进：一是沿用并优化 HBM4E 中验证的 " 热路径块 "，直接解决过热问题；二是基础芯片采用三星内部 2 纳米工艺制造，相比竞品使用的台积电 12 纳米工艺，制程优势扩大。HBM5 大规模量产目标定在 2028 年左右，旨在服务于英伟达 Vera Rubin 平台之后的下一代 AI 加速器。

zHBM：八倍性能愿景与散热挑战

zHBM（零距离 HBM）旨在通过将 HBM 直接堆叠在 AI 加速器芯片之上，消除硅中介层。三星为其设定了激进目标：

性能是 HBM4E 的八倍

每瓦特性能是 HBM4E 的三倍

热阻降低 75% 至 90%

这意味着 zHBM 性能约为 HBM5 的四倍，概念上领先两代。然而，目前尚无商业时间表，且面临严峻的散热挑战。将热源直接堆叠在 DRAM 下方形成了复杂的综合热负荷，尽管三星展示了横向散热结构概念，但缺乏商业规模良率数据支持。

若成功，zHBM 将重构供应链，消除对台积电 CoWoS 等先进封装产线的依赖，缓解交货期超过十二个月的瓶颈。

zNAND-O：专注端侧 AI，非服务器竞争

三星明确指出，zNAND-O 并非服务器 AI 存储产品，而是为解决智能手机等设备端 AI 模型加载速度慢于 NPU 处理速度的痛点。相比之下，SK 海力士与闪迪联合开发的高速闪存（HBF）旨在填补服务器 GPU HBM 与 NVMe SSD 之间的层级。

zNAND-O 通过 TSV 堆叠 V-NAND 芯片，目标带宽为 200 至 400GB/s，可扩展至 1TB/s 以上，延迟低于 3 微秒。其目标包括：

比特密度是 DRAM 的十倍

读取带宽和能效是传统 NAND 的七倍

客户抽样测试预计始于 2028 年。这表明三星与 SK 海力士正在解决不同部署层级的 AI 内存短缺问题：前者关注口袋中的边缘 AI，后者聚焦数据中心。

良率回升与市场格局

三星 HBM4 良率已从 2026 年初的低于 60% 攀升至 8 月的约 80%，HBM4E 良率也突破 70%。这种 " 交钥匙 " 式整合——内存、晶圆厂和封装部门协同运作——被视为相对于依赖第三方逻辑工艺的竞品的主要优势。

英伟达 CEO 黄仁勋于 2026 年 6 月确认，三星、SK 海力士和美光均已完成 Vera Rubin 平台的 HBM4 资格认证。目前供应分配仍偏向 SK 海力士（约占 60%-70%），但分析师预测三星将在 2027 年以 41% 的份额反超。

在市场地位方面，三星 2026 年第二季度 DRAM 市场份额达 39%，位居第一；NAND 市场份额为 29.3%。尽管在通用内存市场领先，但在 HBM 领域，SK 海力士仍以 56.4% 的份额占据主导。随着 AI 驱动的记忆体短缺可能持续至 2030 年，三星的 CUBE 路线图将在这一长期需求环境中接受考验。

需注意的是，此次披露的性能数字均为三星内部开发目标，HBM5 仍处于预生产阶段，尚未公开客户资格数据。

【星途科讯 图文丨王宇洲 首发于 ZAKER 科技，转载请注明出处】