在之前的 FMS 2026 峰会上，三星公布了面向下一代 AI 基础设施的存储技术路线图，并首次展出 zHBM、zNAND-O 概念模型及业界首款 V10 BV-NAND 闪存，全面展示了其在 AI 时代的存储创新实力。

据 TrendForce 报道，近日三星在 SEMICON Taiwan 2026 大会上，带来了有关下一代 HBM 和 zHBM 的最新细节。

三星表示，HBM5 的目标是性能是 2 倍于 HBM4E，而且有着 20% 的每瓦性能提升，另外将伴随着热阻降低 20%，让 HBM5 能够更好地应对日益强大的 AI 加速器产生的热量。传闻三星为 HBM5 准备了 12 层、16 层和 20 层堆叠的产品，基础裸片（Base   Die）也将采用 2nm 工艺，预计 2028 年左右开始量产。

zHBM 是上次活动的核心亮点，通过先进晶圆键合技术将高带宽内存（HBM）垂直堆叠于 AI 加速器上方，能大幅缩短数据传输路径。三星称，zHBM 的目标性能和每瓦性能分别是 HBM4E 的 8 倍和 3 倍，另外热阻将降低 75% 至 90%，预计 2029 年后推出。

在 NAND 闪存领域，三星也在开发下一代技术。之前公布的 zNAND-O 概念模型目标 2028 年推出样品，旨在能够提供 10 倍于 DRAM 的大规模数据存储密度，同时相比于普通 NAND 闪存有高出 7 倍的读写带宽及能效。

三星还介绍了下一代存储的 "CUBE" 框架，未来存储战略将围绕四个重点展开，分别是：容量、利用率、带宽和效率。

三星希望能够在垂直方向扩展容量，而不需要扩大 PCB 的占用面积。三星认为 3D 存储芯片不仅仅在于堆叠层，还需要优化架构以及逻辑和存储芯片的布局，以降低延迟。通过用垂直高速通道替代水平数据路径，缩短芯片之间的距离。此外，功耗和热管理也要跟上，以最大限度地减少数据传输所需要的能量，提升每瓦性能指标。

超能网公众号

扫码关注我们，浏览热门硬件评测

随时查看最新天梯榜