快科技 9 月 4 日消息，美光科技正计划在今年年底前进行大规模设备投资，全力提升最新一代 HBM4 12 层产品的供应能力。此举意在弥补与三星电子、SK 海力士在 HBM 产能上的差距，抢夺更多市场份额。

据悉，美光此次扩产力度空前，计划在今年年底前新增最多 6 万片 / 月的 HBM 产能（按晶圆计）。去年美光 HBM 月产量约 4 万至 5 万片，若年底顺利达到 10 万片规模，其产能将是去年的两倍有余。

美光积极扩产，主要得益于 HBM4 爬坡速度远超预期。美光 CEO 梅赫罗特拉在今年 6 月财报会上透露，12 层 HBM4 的量产爬坡速度约为 12 层 HBM3E 的两倍，HBM4 累计出货营收已超 10 亿美元。

目前美光 HBM 产量仍以 HBM3E 12 层为主，HBM4 12 层占比从今年初的 20% 至 30%，预计年底将升至最高 50%。12 层 HBM4 将用于英伟达最新 AI 加速器 Vera Rubin，美光自今年第二季度起已量产该产品。

在 AI 算力竞赛驱动下，全球记忆体三巨头的 HBM 产能军备赛正全面升级。据业界估算，目前，三星与 SK 海力士的 HBM 月产能各约 15 万至 20 万片，约为美光目前水准的 3 至 4 倍。

据 Counterpoint Research 数据，今年第二季度 SK 海力士以 50% 份额位居全球 HBM 市场第一，三星电子占 32%，美光占 18%。

美光还在为下一代产品布局，预计 HBM4E 将于 2027 年开始放量，首批样品将采用 1-gamma（1 γ）制程的 DRAM 模组打造。核心 DRAM 升级至首次导入 EUV 的 1 γ 工艺，基底芯片转由台积电代工。